Control in the initial growth stage of heteroepitaxial Si 1-x-y Ge x C y on Si(0 0 1) substrates

Applied Surface Science

Volumn 212-213, Issue SPEC., 2003, Pages 184-192

  Zaima, Shigeaki ^a   Sakai, Akira ^a   Yasuda, Yukio ^a  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Condensation; Epitaxial growth; Phase separation; Scanning tunneling microscopy; Si 1 x y Ge x C y; Si 1 x Ge x

Indexed keywords

CONDENSATION; EPITAXIAL GROWTH; MORPHOLOGY; PHASE SEPARATION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; THIN FILMS;

MULTI-LAYERED ISLANDS;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 0038580456     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00066-7     Document Type: Conference Paper

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