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Volumn 69, Issue 16, 1996, Pages 2403-2405

Low off-state leakage current thin-film transistor using Cl incorporated hydrogenated amorphous silicon

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EID: 0038144439     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117651     Document Type: Article
Times cited : (18)

References (12)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.