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Volumn 74, Issue 3, 1993, Pages 2064-2066

An envelope function description of the quantum well formed in strained layer SiGe/Si modulation doped field effect transistors

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EID: 0038074585     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.354771     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.