Electrical conduction in annealed semi-insulating InP

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 8, 2000, Pages 3838-3842

  Fung, S ^a   Zhao, Y W ^a   Luo, Y L ^a   Beling, C D ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037753218     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372422     Document Type: Article

References (26)

1. J. W. Roach and H. H. Wieder, IEEE Electron Device Lett. EDL-6, 356 (1985).
2. J. Cheng, S. R. Forrest, B. Tell, D. Witt, B. Schwanz, and P. D. Wright, J. Appl. Phys. 58, 1780 (1985).
3. J. Cheng, S. R. Forrest, B. Tell, D. Witt, B. Schwartz, and P. D. Wright, J. Appl. Phys. 58, 1787 (1985).
4. W. H. Cheng, D. Renner, K. L. Hess, and S. W. Zehr, J. Appl. Phys. 64, 1570 (1988).
5. W. T. Tsang, A. S. Sudbo, L. Yang, R. Camarda, and R. E. Leibenguth, Appl. Phys. Lett. 54, 2336 (1989).
6. E. W. A. Young and G. M. Fontijn, Appl. Phys, Lett. 56, 146 (1990).
7. R.-T. Huang, A. Appelbaum, D. Renner, W. Burke, and S. W. Zehr, J. Appl. Phys. 69, 8139 (1991).
8. K. Turki, G. Picoli, and J. E. Viallet, J. Appl. Phys. 73, 8340 (1993).
9. M. A. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic, New York, 1970).
10. P. J. Corvini and J. E. Bowers, J. Appl. Phys. 82, 259 (1997).
11. H. Shimakura, K. Kainosho, T. Inoue, and O. Oda, Proceedings of the International Conference on Science and Technology of Defect Control in Semiconductors, edited by K. Sumlno (Eisevier Science, 1990) Yokohama (1989), p. 841.
12. H. J. von Bardeleben, J. C. Bourgoin, K. Kainosho, and O. Oda, Appl. Phys. Lett. 57, 2464 (1990).
13. H. J. von Bardeleben, D. Stievenard, K. Kainosho, and O. Oda, J. Appl. Phys. 70, 7392 (1991).
14. A. Kalboussi, G. Marrakchi, G. Guillot, K. Kainosho, and O. Oda, Appl. Phys. Lett. 61, 2583 (1992).
15. Y. W. Zhao, S. Fung, C. D. Beling, X. D. Chen, N. F. Sun, and T. N. Sun, J. Appl. Phys. 86, 981 (1999).
16. B. Lambert, R. Coquille, M. Gauneau, G. Grandpierre, and G. Moisan, Semicond. Sci. Technol. 5, 616 (1990).
17. G. Picoli, P. Gravey, C. Ozkul, and V. Vieux, J. Appl. Phys. 66, 3798 (1989).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, (Wiley, New York, 1981), p. 105.
19. S. Fung, R. J. Nicholas, and R. A. Stradling, J. Phys. C 12, 5145 (1979).
20. J. K. Rhee and P. K. Bhattacharya, J. Appl. Phys. 53, 1092 (1982).
21. D. C. Look, Phys. Rev. B 20, 4160 (1979).
22. G. Hirt, D. Wolf, and G. Müller, J. Appl. Phys. 74, 5583 (1993).
23. R. Fornari, A. Brinciotti, E. Gombia, R. Mosca, and A. Sentiri, Mater. Sci. Eng., B 28, 95 (1994).
24. G. Marrakchi, K. Cherkaoui, A. Karoui, G. Hirt, and G. Müller, J. Appl. Phys. 79, 6947 (1996).
25. S. Fung, Y. W. Zhao, X. L. Xu, X. D. Chen, N. F. Sun, T. N. Sun, R. G. Zhang, X. B. Guo, Y. Z. Sun, Y. R. Yan, and Q. H. Hua, J. Appl. Phys. 86, 951 (1999).
26. T. Wolf, D. Bimberg, G. Hirt, D. Hofmann, and G. Müller, Proceedings of the 4th International Conference on InP and Related Materials (IEEE, New York, 1992). p. 630.