Deep-level transient spectroscopy in InAs/GaAs laser structures with vertically coupled quantum dots

Semiconductors

Volumn 31, Issue 10, 1997, Pages 1074-1079

  Sobolev, M M ^a   Kovsh, A R ^a   Ustinov, V M ^a   Egorov, A Yu ^a   Zhukov, A E ^a   Maksimov, M V ^a   Ledentsov, N N ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037750656     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187029     Document Type: Article

References (20)

1. Y. Arakawa and A. Yariv, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1887 (1986).
2. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, J. Cryst. Growth 175 (1997) (in press).
3. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
4. T. Matsumoto, Y. Ito, and T. Ishida, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1541 (1989).
5. K. L. Jiao and W. A. Anderson, J. Appl. Phys. 73, 271 (1993).
6. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 67, 3016 (1995).
7. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
8. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
9. A. Mitonneau, G. M. Martin, and A. Mircca, Electron. Lett. 13, 666 (1977).
10. P. N. Brunkov, S. Gaǐbullaev, S. G. Konnikov, V. G. Nikitin, M. I. Papentsev, and M. M. Sobolev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 338 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 205 (1991)].
11. P. N. Brunkov, S. Gaǐbullaev, S. G. Konnikov, V. G. Nikitin, M. I. Papentsev, and M. M. Sobolev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 338 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 205 (1991)].
12. G. M. Martin, A. Mitonneau, and A. Mircca, Electron. Lett. 13, 191 (1977).
13. L. Samuelson, P. Omling, and H. G. Grimmeis, J. Cryst. Growth 55, 164 (1981).
14. D. L. Partin, J. W. Chen, A. G. Milnes, and L. F. Vassamillet, J. Appl. Phys. 50, 6845 (1979).
15. M. M. Sobolev, I. V. Kochnev, M. I. Papentsev, and V. S. Kalinovsky, Semicond. Sci. Technol. 11, 1692 (1996).
16. S. R. Forrest and O. K. Kim, J. Appl. Phys. 53, 5738 (1982).
17. K. Kazmierski, P. Philippe, P. Poulain, and B. de Cremoux, J. Appl. Phys. 61, 1941 (1987).
18. F. Capasso and F. Beltram, Mater. Soc. Symp. Proc. 104, 47 (1988).
19. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
20. P. W. Yu, W. C. Mitchel, M. G. Mier, S. S. Li, and W. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 41, 532 (1982).