Silicon-induced nanostructure evolution of the GaAs(001) surface

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 61, Issue 4, 2000, Pages R2440-R2443

  Wang, Z ^a   Daweritz L ^a   Schutzendube P ^a   Ploog, K ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037698019     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.61.R2440     Document Type: Article

References (28)

1. G. Rosenfeld, B. Poelsema, and G. Comsa, in Growth and Properties of Ultrathin Films, edited by D. A. King and D. P. Woodruff (Elsevier, Amsterdam, 1997), Vol. 8, p. 66, and references therein.
2. H. Röder, E. Hahn, H. Brune, J.-P. Bucher, and K. Kern, Nature (London) 366, 141 (1993).
3. G. Le Lay, in Growth and Properties of Ultrathin Films (Ref. 1), p. 297 and references therein.
4. Y. W. Mo, B. S. Swartzentruber, R. Kariotis, M. B. Webb, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 63, 2393 (1989).
5. M. C. Bartelt and J. W. Evans, Phys. Rev. B 46, 12 675 (1992).
6. V. Bressler-Hill, S. Varma, A. Lorke, B. Z. Nosho, P. M. Petroff, and W. H. Weinberg, Phys. Rev. Lett. 74, 3209 (1995).
7. A. R. Avery, H. T. Dobbs, D. M. Holmes, B. A. Joyce, and D. D. Vvedensky, Phys. Rev. Lett. 79, 3938 (1997).
8. J. Tersoff, M. D. Johnson, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 78, 282 (1997).
9. E. D. Williams and N. C. Bartelt, Science 251, 393 (1991).
10. E. J. Heller and M. G. Lagally, Appl. Phys. Lett. 60, 2675 (1992).
11. E. D. Williams, R. J. Phaneuf, J. Wei, N. C. Bartelt, and T. L. Einstein, Surf. Sci. 294, 219 (1993).
12. M. Shibata, I. Sumita, and M. Nakajima, Phys. Rev. B 53, 3856 (1996).
13. D. J. Coulman, J. Wintterlin, R. J. Behm, and G. Ertl, Phys. Rev. Lett. 64, 1761 (1990).
14. T. R. Ohno and E. D. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 874 (1990).
15. A. R. Avery, J. Sudijono, D. M. Holmes, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 66, 3200 (1995).
16. A. R. Avery, J. Sudijono, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 340, 57 (1995).
17. L. Däweritz, P. Schützendübe, M. Reiche, and K. H. Ploog, Surf. Sci. 385, L917 (1997).
18. L. Däweritz, P. Schützendübe, M. Reiche, and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1969 (1998).
19. J. Rumberg, J.-T. Zettler, K. Stahrenberg, K. Ploska, W. Richter, L. Däweritz, P. Schützendübe, and M. Wassermeier, Surf. Sci. 337, 103 (1995).
20. M. R. Fahy, M. J. Ashwin, J. J. Harris, R. C. Newmann, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 61, 1805 (1992).
21. L. Däweritz, K. Stahrenberg, P. Schützendübe, J.-T. Zettler, W. Richter, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 175/176, 310 (1997).
22. T. Hashizume, Q. K. Xue, A. Ichimiya, and T. Sakurai, Phys. Rev. B 51, 4200 (1995).
23. L. Däweritz, P. Schützendübe, M. Reiche, and K. H. Ploog, Surf. Sci. 385, L917 (1997).
24. Surf. Sci.L. DäweritzP. SchützendübeM. ReicheK. H. Ploog402-404, 257 (1998).
25. J. E. Northrup and S. Froyen, Phys. Rev. B 50, 2015 (1994).
26. K. Shiraishi and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1211 (1998).
27. R. L. Headrick, L. C. Feldman, and B. E. Weir, in Delta-Doping of Semiconductors, edited by E. F. Schubert (Cambridge University Press, Cambridge, 1996), p. 461.
28. T. Irisawa, J. Motohisa, M. Akabori, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1514 (1998).