Influence of various activation temperatures on the optical degradation of Mg doped InGaN/GaN MQW blue LEDs

Journal of Crystal Growth

Volumn 250, Issue 3-4, 2003, Pages 331-338

  Youn, C J ^a   Jeong, T S ^a   Han, M S ^a   Yang, J W ^a   Lim, K Y ^a   Yu, H W ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b LG Display Co Ltd   (South Korea)

Author keywords

A1. Luminescence; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. InGaN; B3. Light emitting diodes

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTROLUMINESCENCE; LIGHT EMISSION; MAGNESIUM PRINTING PLATES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

OPTICAL DEGRADATION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 0037399812     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02462-4     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. Koike M., Yamasaki S., Nagai S., Koide N., Asami S., Amano H., Akasaki I. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1403.
2. Chichibu S.F., Azuhata T., Sota T., Mukai T., Nakamura S. J. Appl. Phys. 88:2000;5153.
3. Smith M., Chen G.D., Lin J.Y., Jiang H.X., Khan M.A., Chen Q. Appl. Phys. Lett. 69:1997;2837.
4. Wang T., Nakagawa D., Wang J., Sugahara T., Sakai S. Appl. Phys. Lett. 73:1998;3571.
5. Ho I.H., Stringfellow G.B. J. Crystal Growth. 178:1997;1.
6. Wakahara A., Tokuda T., Dang X.Z., Noda S., Sasaki A. Appl. Phys. Lett. 71:1997;906.
7. Chichibu S., Azuhata T., Sota T., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 69:1996;4188.
8. Chichibu S., Wada K., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 71:1997;2346.
9. Lakner H., Liu Q., Brockt G., Radefeld A., Meinert A., Scholz F. Mater. Sci. Eng. B. 51:1998;44.
10. McCluskey M.D., Romano L.T., Krusor B.S., Johnson N.M., Suski T., Jun J. Appl. Phys. Lett. 73:1998;1281.
11. McCluskey M.D., Romano L.T., Krusor B.S., Bour D.P., Johnson N.M., Brennan S. Appl. Phys. Lett. 72:1998;1730.
12. Chuo C.C., Lee C.M., Nee T.E., Chyi J.I. Appl. Phys. Lett. 76:2000;3902.
13. Chuo C.C., Lee C.M., Chyi J.I. Appl. Phys. Lett. 78:2001;314.
14. Yang H.C., Kuo P.F., Lin T.Y., Chen Y.F., Chen K.H., Chen L.C., Chyi J. Appl. Phys. Lett. 76:2000;3712.
15. Narukawa Y., Kawakami Y., Fujita Sz., Fujita Sg., Nakamura S. Phys. Rev. B. 55:1997;R1938.
16. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y. Jpn. J. Appl. Phys. 35:1996;L74 S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3034, 4056.
17. Chichibu S.F., Abare A.C., Minsky M.S., Keller S., Fleischer S.B., Bowers J.E., Hu E., Mishra U.K., Coldren L.A., DenBaars S.P., Sota T. Appl. Phys. Lett. 73:1998;2006.
18. Mukai T., Takekawa K., Nakamura S. Jpn. J. Appl. Phys. 37:1999;L839.
19. O'Donnel K.P., Martin R.W., Middleton P.G. Phys. Rev. Lett. 82:1999;237.
20. Hor A., Yasunaga D., Satake A., Fujiwara K. Appl. Phys. Lett. 79:2001;3723.
21. Youn D.H., Lachab M., Hao M., Sugahara T., Takenaka H., Naoi Y., Sakai S. Jpn. J. Appl. Phys. 38:1999;631.
22. Nakamura S., Mukai T., Senoh M., Iwasa N. Jpn. J. Appl. Phys. 31:1992;L139.
23. Wen T.C., Lee S.C., Lee W.I., Chen T.Y., Chan S.H., Tsang J.S. Jpn. J. Appl. Phys. 40:2001;L495.
24. Sheu J.K., Chi G.C., Su Y.K., Liu C.C., Chang C.M., Hung W.C., Jou M.J. Solid-State Electron. 44:2000;1055.
25. Su Y.K., Chi G.C., Sheu J.K. Opt. Mater. 14:2000;205.
26. As D.J., Richter A., Busch J., Lübbers M., Mimkes J., Lischka K. Appl. Phys. Lett. 76:2000;13.
27. Yang C.C., Wu M.C., Chuo C.C., Chyi J.I., Lin C.F., Chi G.C. Solid-State Electron. 44:2000;1483.
28. Eliseev P.G., Perlin P., Furioli J., Sartori P., Mu J., Osiinski M. J. Electron. Mater. 26:1997;311.
29. Dalmasso S., Damilano B., Grandjean N., Massies J., Leroux M., Reverchon J.L., Duboz J.Y. Mater. Sci. Eng. B. 82:2001;256.
30. Götz W., Johnson N.M., Walker J., Bour D.P., Amano H., Akasaki I. Appl. Phys. Lett. 67:1995;2666.