Strain compensated Si/Si0.2Ge0.8 quantum cascade structures grown by low temperature molecular beam epitaxy

Journal of Crystal Growth

Volumn 251, Issue 1-4, 2003, Pages 707-717

  Grutzmacher D ^a   Mentese, S ^a   Muller E ^a   Diehl, L ^a   Sigg, H ^a   Campidelli, Y ^b   Kermarrec, O ^b   Bensahel, D ^b   Roch, T ^c   Stangl, J ^c   Bauer, G ^c  

^a PAUL SCHERRER INSTITUTE   (Switzerland)

^b STMICROELECTRONICS   (France)

^c JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

Author keywords

A1. High resolution X ray diffraction; A1. Quantum cascade structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Si SiGe

Indexed keywords

ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRON TUNNELING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; STRAIN; STRUCTURAL ANALYSIS; SURFACE ROUGHNESS; TRANSPORT PROPERTIES; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

QUANTUM CASCADE (QC) LASERS;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0037381511     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02288-1     Document Type: Conference Paper

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