MOVPE growth of GaN on Si(1 1 1) substrates

Journal of Crystal Growth

Volumn 248, Issue SUPPL., 2003, Pages 556-562

  Dadgar, Armin ^a   Poschenrieder, M ^a   Blasing J ^a   Contreras, O ^b,e   Bertram, F ^a   Riemann, T ^a   Reiher, A ^a   Kunze, M ^c   Daumiller, I ^c   Krtschil, A ^a   Diez, A ^a   Kaluza, A ^d   Modlich, A ^d   Kamp, M ^d   Christen, J ^f   Ponce, F A ^b   Kohn, E ^c   Krost, A ^a  

^a OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^b ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

^c UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^d Global Light Industries   (Germany)

^e UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO   (Mexico)

^f NONE

Author keywords

A1. Si(1 1 1) substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. GaN

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; CARRIER CONCENTRATION; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; MONOLAYERS; SILICON; SUBSTRATES;

INTERLAYERS;

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

EID: 0037291309     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01894-8     Document Type: Conference Paper

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