Characterization of deep levels in InGaP grown by compound-source molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 8, 2001, Pages 4407-4409

  Kim, J H ^a   Jo, S J ^a   Kim, J W ^a   Song, J I ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035871071     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1353559     Document Type: Article

References (10)

1. B. Pereiaslavets, K. H. Bachem, J. Braunstein, and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1659 (1996).
2. D. Geiger, E. Mittermeier, J. Kickmann, C. Geng, F. Scholz, and E. Kohn, Electron. Lett. 31, 1295 (1995).
3. J. Krynicki, M. A. Zaidi, M. Sazoui, J. C. Bourgoin, M. DiForte-Poisson, C. Brylinski, S. L. Delage, and H. Blanck, J. Appl. Phys. 74, 260 (1993).
4. E. C. Paloura, A. Ginoudi, G. Kiriakidis, and A. Christou, Appl. Phys. Lett. 59, 3127 (1991).
5. S. Nojima, H. Tanaka, and H. Asahi, J. Appl. Phys. 59, 3489 (1986).
6. Z. C. Huang, C. R. Wie, J. A. Varriano, M. W. Koch, and G. W. Wicks, J. Appl. Phys. 77, 1587 (1995).
7. H. S. Kim, M. J. Hafich, G. A. Patrizi, A. Nanda, T. J. Vogt, L. M. Woods, and G. Y. Robinson, J. Appl. Phys. 74, 1431 (1993).
8. M. J. Mondry, E. J. Caine, and H. Kroemer, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 316 (1985).
9. G. W. Wicks, M. W. Koch, J. A. Varriano, F. G. Johnson, C. R. Wie, H. M. Kim, and P. Colombo, Appl. Phys. Lett. 59, 342 (1991).
10. H. K. Kwon, S. D. Kwon, B.-D. Choe, and H. Lim, J. Appl. Phys. 78, 7395 (1995).