Approach to study the noise properties in nanoscale electronic devices

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 11, 2001, Pages 1703-1705

  Oriols, Xavier ^a   Martín, Ferran ^a   Suñé, Jordi ^a  

^a UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035839875     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1402651     Document Type: Article

References (19)

1. See, for example, articles in: IEEE Trans. Electron Devices 47(10) (2000).
2. R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957).
3. M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 65, 2901 (1990); see alternative demonstrations G. B. Lesovik, JETP Lett. 49, 592 (1989); B. Yurke and G. P. Kochanski, Phys. Rev. B 41, 8184 (1990).
4. M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 65, 2901 (1990); see alternative demonstrations G. B. Lesovik, JETP Lett. 49, 592 (1989); B. Yurke and G. P. Kochanski, Phys. Rev. B 41, 8184 (1990).
5. M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 65, 2901 (1990); see alternative demonstrations G. B. Lesovik, JETP Lett. 49, 592 (1989); B. Yurke and G. P. Kochanski, Phys. Rev. B 41, 8184 (1990).
6. T. González, C. Gonzáles, J. Mateos, D. Pardo, L. Reggiani, O. M. Bulashenko, and J. M. Rubí, Phys. Rev. Lett. 80, 2901 (1998).
7. T. González, J. Mateos, D. Pardo, L. Varani, and L. Reggiani, Semicond. Sci. Technol. 14, L37 (1999).
8. A. N. Korotkov and K. K. Likharev, Phys. Rev. B 61, 15975 (2000).
9. K. A. Matsuoka and K. K. Likharev, Phys. Rev. B 57, 15613 (1998).
10. D. Bohm, Phys. Rev. 85, 166 (1952).
11. X. Oriols, J. J. Garcia, F. Martín, J. Suñé, T. González, J. Mateos, and D. Pardo, Appl. Phys. Lett. 72, 806 (1998); X. Oriols, J. J. Garcia, F. Martín, J. Suñé, T. González, J. Mateos, D. Pardo, and O. Vanbesien, Semicond. Sci. Technol. 14, 532 (1999).
12. X. Oriols, J. J. Garcia, F. Martín, J. Suñé, T. González, J. Mateos, and D. Pardo, Appl. Phys. Lett. 72, 806 (1998); X. Oriols, J. J. Garcia, F. Martín, J. Suñé, T. González, J. Mateos, D. Pardo, and O. Vanbesien, Semicond. Sci. Technol. 14, 532 (1999).
13. L. S. Levitov and G. B. Lesovik, JETP Lett. 58, 230 (1993); L. S. Levitov, H. Lee, and G. B. Lesovik, J. Math. Phys. 37, 4845 (1996).
14. L. S. Levitov and G. B. Lesovik, JETP Lett. 58, 230 (1993); L. S. Levitov, H. Lee, and G. B. Lesovik, J. Math. Phys. 37, 4845 (1996).
15. G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabbri, and V. Svelto, Nucl. Instrum. Methods 92, 137 (1971); B. Pellegrini, Phys. Rev. B 34, 5921 (1986).
16. G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabbri, and V. Svelto, Nucl. Instrum. Methods 92, 137 (1971); B. Pellegrini, Phys. Rev. B 34, 5921 (1986).
17. L. Varani, L. Reggiani, T. Kuhn, T. González, and D. Pardo, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1916 (1994).
18. C. R. Leavens and G. C. Aers, in Scanning Tunneling Microscopy III, edited by R. Wiesendanger and H.-J. Güntherrodt (Springer, New York, 1993).
19. Th. Martin and R. Landauer, Phys. Rev. B 45, 1742 (1992).