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Volumn 14, Issue 4, 2001, Pages 573-581

The status of 157nm lithography development

Author keywords

157nm; 157nm lithography; 157nm resist; ARC; Contamination; Mask; Outgassing; Pellicle; Reticle

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COPOLYMER; SILICON;

EID: 0035746902     PISSN: 09149244     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.2494/photopolymer.14.573     Document Type: Article
Times cited : (6)

References (17)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.