Aging behavior of porous silicon electrochemically etched with the aid of Zn

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 9, 2001, Pages 4485-4488

  Suh, K Y ^a   Kim, Y S ^a   Lee, Hong H ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035504781     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1402976     Document Type: Article

References (15)

1. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. J. L. Gole, F. P. Dudel, D. Grantier, and D. A. Dixon, Phys. Rev. B 56, 2137 (1997).
3. S. M. Prokes and W. E. Carlos, J. Appl. Phys. 78, 2671 (1995).
4. Y. Fukuda, K. Furuya, N. Ishikawa, and T. Saito, J. Appl. Phys. 82, 5718 (1997).
5. B. Zou, J. Wang, C. Liu, J. Z. Zhang, and M. A. El-Sayed, Phys. Rev. B 62, 16595 (2000).
6. Y. H. Xie, W. L. Wilson, F. M. Ross, J. A. Mucha, E. A. Fitzgerald, J. M. Macauley, and T. D. Harris, J. Appl. Phys. 71, 2403 (1992).
7. J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, and V. Grivickas, J. Appl. Phys. 86, 6128 (1999).
8. Y. Fukuda, K. Furuya, N. Ishikawa, and T. Saito, J. Appl. Phys. 82, 5718 (1997).
9. L. Tsybeskov, Ju. V. Vandyshev, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 49, 7821 (1994).
10. S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, P. O'Keeffe, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 68, 949 (1996).
11. J. H. Stathis and M. A. Kastner, Phys. Rev. B 35, 2972 (1987).
12. K. Y. Suh, Y. S. Kim, S. Y. Park, and H. H. Lee, J. Electrochem. Soc. 148, C439 (2001).
13. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, and F. A. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).
14. P. Li, G. Wang, Y. Ma, and R. Fang, Phys. Rev. B 58, 4057 (1998).
15. Y. S. Kim, K. Y. Suh, H. Yoon, and H. H. Lee (submitted for publication).