Ordering and Electronic Properties of Self-Assembled Si/Ge Quantum Dots

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 40, Issue 3 B, 2001, Pages 1860-1865

  Brunner, Karl ^a   Abstreiter, Gerhard ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

Admittance; Dots; Ge; Intra band spectroscopy; Molecular beam epitaxy; Self assembling; Self ordering; Si; Vicinal substrate; Wires

Indexed keywords

ELECTRIC ADMITTANCE; INFRARED DETECTORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUCLEATION; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOCURRENTS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SUBSTRATES;

INTRA VALENCE PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0035267678     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.40.1860     Document Type: Article

References (26)

1. D. J. Eaglesham and M. Cerullo: Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 1943.
2. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg and R. S. Williams: Science 279 (1998) 353.
3. G. Jin, J. L. Liu, S. G. Thomas, Y. H. Luo, K. L. Wang and B.-Y. Nguyen: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2752.
4. J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier and G. Bastard: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 716.
5. K. Brunner, G. Abstreiter, G. Bohm, G. Tränkle and G. Weimann: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 1138.
6. S. Christiansen, M. Albrecht, H. P. Strunk and H. J. Maier: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3617.
7. P. Sutter and M. G. Lagally: Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 3471.
8. V. Holy, A. A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel and G. Abstreiter: Phys. Rev. B 57 (1998) 12435.
9. V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits and G. Bauer: Phys. Rev. Lett. 83 (1999) 356.
10. Y. H. Phang, C. Teichert, M. G. Lagally, L. J. Peticolos, J. C. Bean and E. Kasper: Phys. Rev. B 50 (1994) 14435.
11. J. Tersoff, C. Teichert and M. G. Lagally: Phys. Rev. Lett. 76 (1996) 1675.
12. J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter, O. Kienzle, F. Ernst and M. Rühle: Phys. Rev. B 60 (1999) 10935.
13. J. Zhu, K. Brunner and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 424.
14. J. Zhu, K. Brunner and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 620.
15. O. G. Schmidt, O. Kienzle, Y. Hao, K. Eberl and F. Ernst: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1272.
16. T. I. Kamins and R. S. Williams: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1201.
17. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits and G. Bauer: Science 282 (2000) 734.
18. J. J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Bohm and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2618.
19. Y. W. Mo, D. E. Savage, B. S. Schwartzentruber and M. G. Lagally: Phys. Rev. Lett. 65 (1990) 1020.
20. C. Miesner, O. Röthig, K. Brunner and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1027.
21. T. Fromherz, P. Kruck, M. Helm, G. Bauer, J. F. Nützel and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3611.
22. V. Rhyzii: Semicond. Sci. Technol. 11 (1996) 759.
23. S. K. Zhang, H. J. Zhu, F. Lu, Z. M. Jiang and X. Wang: Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 3340.
24. C. Miesner, T. Asperger, K. Brunner and G. Abstreiter: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2704.
25. T. Asperger, C. Miesner, K. Brunner and G. Abstreiter: to be published in Thin Solid Films.
26. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen and J. P. Kotthaus: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 2252.