Effects of spacer thickness and temperature on the transport properties of modulation-doped In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterojunctions

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 182, Issue 2, 2000, Pages 717-726

  Altinoz S ^a   Tiras E ^a   Bayrakli, A ^a   Celik H ^a   Cankurtaran, M ^a   Balkan, N ^b  

^a HACETTEPE UNIVERSITY   (Turkey)

^b UNIVERSITY OF ESSEX   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL IMPURITIES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; THERMAL EFFECTS; TRANSPORT PROPERTIES;

SPACER THICKNESS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0034506429     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(200012)182:2<717::AID-PSSA717>3.0.CO;2-E     Document Type: Article

References (44)

1. P. BHATTACHARYA (Ed.), Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide, INSPEC, London 1993.
2. K. Y. CHENG, A. Y. CHO, T. J. DRUMMOND, and H. MORKOÇ, Appl. Phys. Lett. 40, 147 (1982). T. J. DRUMMOND, H. MORKOÇ, K. Y. CHENG, and A. Y. CHO, J. Appl. Phys. 53, 3654 (1982).
3. K. Y. CHENG, A. Y. CHO, T. J. DRUMMOND, and H. MORKOÇ, Appl. Phys. Lett. 40, 147 (1982). T. J. DRUMMOND, H. MORKOÇ, K. Y. CHENG, and A. Y. CHO, J. Appl. Phys. 53, 3654 (1982).
4. A. KASTALSKY, R. DINGLE, K. Y. CHENG, and A. Y. CHO, Appl. Phys. Lett. 41, 274 (1982).
5. G. WEIMANN, Festkörperprobleme: Adv. Solid State Phys. 26, 231 (1986).
6. G. GREGORIS, J. BEERENS, S. BEN AMOR, L. DMOWSKI, J. C. PORTAL, D. L. SIVCO, and A. Y. CHO, J. Phys. C 20, 425 (1987).
7. W.-P. HONG, G. I. NG, P. K. BHATTACHARYA, D. PAVLIDIS, S. WILLING, and B. DAS, J. Appl. Phys. 64, 1945 (1988).
8. B. DAS, D. C. MILLER, S. DATTA, R. REIFENBERGER, W. P. HONG, P. K. BHATTACHARYA, J. SINGH, and M. JAFFE, Phys. Rev. B 39, 1411 (1989).
9. D. W. ROH, H. G. LEE, and J. J. LEE, J. Cryst. Growth 167, 468 (1996).
10. Y. NAKATA, S. SASA, Y. SUGIYAMA, T. FUJII, and S. HIYAMIZU, Jpn. J. Appl. Phys. 26, L59 (1987).
11. T. MATSUOKA, E. KOBAYASHI, K. TANIGUCHI, C. HAMAGUCHI, and S. SASA, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 2017 (1990).
12. K. H. HSIEH, H. OHNO, G. WICKS, and L. F. EASTMAN, Electron. Lett. 19, 160 (1983).
13. K. ONABE, Y. TASHIRO, and Y. IDE, Surf. Sci. 174, 401 (1986).
14. M. L. SEAFORD, G. MARTIN, L. F. EASTMAN, D. HARTZELL, and S. MASSIE, J. Electron. Mater. 25, 1551 (1996).
15. J. D. OLIVER, JR., L. F. EASTMAN, P. D. KIRCHNER, and W. J. SCHAFF, J. Cryst. Growth 54, 64 (1981).
16. S. HIYAMIZU, J. SAITO, K. NANBU, and T. ISHIKAWA, Jpn. J. Appl. Phys. 22, L609 (1983).
17. E. E. MENDEZ, P. J. PRICE, and M. HEIBLUM, Appl. Phys. Lett. 45, 294 (1984).
18. B. K. BASU and B. R. NAG, Appl. Phys. Lett. 43, 689 (1983).
19. G. BASTARD, Appl. Phys. Lett. 43, 591 (1983).
20. W. WALUKIEWICZ, H. E. RUDA, J. LAGOWSKI, and H. C. GATOS, Phys. Rev. B 30, 4571 (1984).
21. Y. TAKEDA and A. SASAKI, Jpn. J. Appl. Phys. 24, 1307 (1985).
22. G. BASTARD, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures, Les Editions de Physique, Les Ulis 1988.
23. H. L. STÖRMER, Surf. Sci. 132, 519 (1983).
24. B. J. F. LIN, D. C. TSUI, M. A. PAALANEN, and A. C. GOSSARD, Appl. Phys. Lett. 45, 695 (1984).
25. K. HIRAKAWA and H. SAKAKI, Phys. Rev. B 33, 8291 (1986).
26. J. J. HARRIS, J. A. PALS, and R. WOLTJER, Rep. Progr. Phys. 52, 1217 (1989).
27. T. ANDO, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3900 (1982).
28. S. MORI and T. ANDO, J. Phys. Soc. Jpn. 48, 865 (1980).
29. J. C. PORTAL, R. J. NICHOLAS, M. A. BRUMMEL, A. Y. CHO, K. Y. CHENG, and T. P. PEARSALL, Solid State Commun. 43, 907 (1982).
30. K. SEEGER, Semiconductor Physics - An Introduction, 6th ed., Springer-Verlag, New York 1997.
31. J. SHAH, R. F. LEHENY, R. E. NAHORY, and M. A. POLLACK, Appl. Phys. Lett. 37, 475 (1980).
32. H. LOBENTANZER, W. W. RÜHLE, W. STOLZ, and K. PLOOG, Solid State Commun. 62, 53 (1987).
33. A. STRAW, A. J. VICKERS, and J. S. ROBERTS, Solid State Electronics 32, 1539 (1989).
34. S. ADACHI, in: Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide, Ed. P. BHATTACHARYA, Inspec, London 1993 (pp. 47-57).
35. T. ITOH, T. GRIEM, G. W. WICKS, and L. F. EASTMAN, Electron. Lett. 21, 373 (1985).
36. M. HEIBLUM, E. E. MENDEZ, and F. STERN, Appl. Phys. Lett. 44, 1064 (1984).
37. J. C. M. HWANG, A. KASTALSKY, H. L. STÖRMER, and V. G. KERAMIDAS, Appl. Phys. Lett. 44, 802 (1984).
38. B. SHEN, T. SOMEYA, M. NISHIOKA, and Y. ARAKAWA, phys. stat. sol. (b) 216, 755 (1999).
39. K. LEE, M. SHUR, T. J. DRUMMOND, and H. MORKOÇ, J. Appl. Phys. 54, 2093 (1983).
40. P. DELESCLUSE, M. LAVIRON, J. CHAPLART, D. DELAGEBEAUDEUF, and N. T. LINH, Electron. Lett. 17, 342 (1981).
41. T. J. DRUMMOND, H. MORKOÇ, and A. Y. CHO, J. Appl. Phys. 52, 1380 (1981).
42. P. T. COLERIDGE, Phys. Rev. B 44, 3793 (1991).
43. W. I. WANG, E. E. MENDEZ, and F. STERN, Appl. Phys. Lett. 45, 639 (1984).
44. K. HESS, Appl. Phys. Lett. 35, 484 (1979).