The growth of Co-silicide using a chemical oxide on off-axis Si(100) substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 37, Issue 6, 2000, Pages 1057-1061

  Heo, Jinhwa ^a   Jeon, Hyeongtag ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034347694     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.37.1057     Document Type: Article

References (18)

1. K. K. Ng and W. T. Lynch, IEEE. Trans. Electron. Devices ED-34, 503 (1987).
2. R. J. Nemanich, R. Fiordalice and H. Jeon, IEED J.Quantum Electron. 25, 997 (1989).
3. J. Cardenas, S-L. Zhang, B. G. Svensson and C. S. Petersson, J. Appl. Phys. 80, 762 (1996).
4. S. Hatzikonstantinidou, P. Wikman, Shi-Li Zhang and C. S. Petersson, J. Appl. Phys. 80, 952 (1996).
5. S. P. Murarka, Silicides for VLSI Applications.
6. J. S. Byun, D. H. Kim, W. S. Kim and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 78, 1725 (1995).
7. M. Lawrence A. Dass, D. B. Fraser and Chih-Shih Wei, Appl. Phys. Lett. 58, 1308 (1991).
8. C. M. Comrie and R. T. Newman, J. Appl. Phys. 79, 153 (1996).
9. C. W. T. Bulle-Lieuwma, A. H. van Ommen, J. Hornstra and C. N. A. M. Aussems, J. Appl. Phys. 71, 2211 (1992).
10. F. Hong, G. A. Rozgonyi and B. K. Patnaik, Appl. Phys. Lett. 61, 1519 (1992).
11. F. Hong and G. A. Rozgonyi, J. Electrochem. Soc. 141, 3480 (1994).
12. J. S. Byun, J. M. Seon, K. S. Youn, H. S. Hwang, J. W. Park and J. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 143, L56 (1996).
13. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
14. R. T. Tung, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 1650 (1997).
15. H. Jeon, H. Choi and T. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 29, 781 (1996).
16. W. Lee and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 30, 307 (1997).
17. B. Choi and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 23, 579 (1998).
18. R. Pretorius, Thin Solid Films 290, 447 (1996).