Crystallization of amorphous-silicon films with seed layers of microcrystalline silicon by plasma heating

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 18, Issue 5, 2000, Pages 2085-2089

  Kim, Hae Yeol ^a   Park, Chan Do ^a   Kang, Youn Seon ^a   Jang, Kuk Jin ^a   Lee, Jai Young ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; GLASS; GRAIN SIZE AND SHAPE; PLASMA HEATING; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

FURNACE HEATING;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 0034275292     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1289538     Document Type: Article

References (31)

1. S. D. Malhi et al., IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 258 (1985).
2. J. R. Troxell, M. I. Harrington, J. C. Erskine, W. H. Dumbaugh, F. P. Fehler, and R. A. Miller, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 597 (1986).
3. W. G. Hawkins, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 477 (1986).
4. D. L. Staebler and C. R. Wronski, J. Appl. Phys. 51, 3262 (1980).
5. D. M. Wolfe, F. Wang, S. Habermehl, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 207 (1998).
6. D. M. Wolfe, F. Wang, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1035 (1997).
7. M. K. Hatalis and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 63, 2260 (1988).
8. Y. Masaki, P. G. LeComber, and A. G. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 74, 129 (1993).
9. H. Watanabe, H. Miki, S. Sugai, K. Kawasaki, and T. Kioka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 4491 (1994).
10. T. J. Konno and R. Sinclair, Philos. Mag. B 66, 749 (1992).
11. G. Liu and S. J. Fonash, Appl. Phys. Lett. 62, 2554 (1993).
12. S.-W. Lee, Y.-C. Jeon, and S.-K. Joo, Appl. Phys. Lett. 66, 2554 (1995).
13. D. K. Sohn, J. N. Lee, S. W. Kang, and B. T. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1005 (1996).
14. R. B. Iverson and R. Reif, J. Appl. Phys. 62, 1675 (1987).
15. R. K. Singh, S.-M. Jung, S.-M. Lee, and R. E. Hummel, J. Electrochem. Soc. 145, 3963 (1998).
16. A. T. Voutsas and M. K. Hatalis, Appl. Phys. Lett. 63, 1546 (1993).
17. A. T. Voutsas and M. K. Hatalis, J. Appl. Phys. 76, 777 (1994).
18. A. T. Voutsas, M. K. Hatalis, J. Boyce, and A. Chiang, J. Appl. Phys. 78, 6999 (1995).
19. Y.-K. Kim and J.-Y. Lee, J. Appl. Phys. 81, 3660 (1997).
20. Y. K. Kim, K. Y. Lee, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 756 (1996).
21. M. K. Hatalis and D. W. Greve, IEEE Electron Device Lett. EDL-8, 361 (1987).
22. H. Y. Kim, J. B. Choi, and J. Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3240 (1999).
23. H. Y. Kim, K. Y. Lee, and J. Y. Lee, Thin Solid Films 302, 17 (1997).
24. S. Matsuo, M. Ueda, T. Imura, and Y. Osaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 475 (1988).
25. Hajime Shirai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 450 (1995).
26. R. Nozawa, H. Takeda, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, J. Appl. Phys. 81, 8035 (1997).
27. A. Yin and S. J. Fonash, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1237 (1994).
28. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
29. S. Ishihara, D. He, M. Nakata, and I. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 1539 (1993).
30. M. Moniwa, K. Kusukawa, M. Ohkura, and E. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 312 (1993).
31. K. Pangal, J. C. Sturm, S. Wagner, and T. H. Büyüklimanli, J. Appl. Phys. 85, 1900 (1999).