Recombination emission from InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces

Semiconductors

Volumn 34, Issue 4, 2000, Pages 453-461

  Talalaev, V G ^a   Novikov, B V ^a   Verbin, S Yu ^a   Novikov, A B ^a   Thath, Dinh Son ^a   Shchur, I V ^a   Gobsch, G ^b   Goldhahn, R ^b   Stein, N ^b   Golombek, A ^b   Tsyrlin, G E ^c   Petrov, V N ^c   Ustinov, V M ^d   Zhukov, A E ^d   Egorov, A Yu ^d  

^a ST PETERSBURG STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

^b ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^c INSTITUTE FOR ANALYTICAL INSTRUMENTATION   (Russian Federation)

^d IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034164874     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1188007     Document Type: Article

References (69)

1. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 385 (1998) [Semicond. 32, 343 (1998)].
2. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 385 (1998) [Semicond. 32, 343 (1998)].
3. G. É. Tsyrlin, V. N. Petrov, M. V. Maksimov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 912 (1997) [Semicond. 31, 777 (1997)].
4. G. É. Tsyrlin, V. N. Petrov, M. V. Maksimov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 912 (1997) [Semicond. 31, 777 (1997)].
5. A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, N. N. Ledentsov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 95 (1998) [Semicond. 32, 84 (1998)].
6. A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, N. N. Ledentsov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 95 (1998) [Semicond. 32, 84 (1998)].
7. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor Torres, et al., Appl. Phys. Lett. 64, 1526 (1994).
8. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 51, 14766 (1995).
9. V. P. Evtikhiev, I. V. Kudryashov, E. Y. Kotel'nikov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1482 (1998) [Semicond. 32, 1323 (1998)].
10. V. P. Evtikhiev, I. V. Kudryashov, E. Y. Kotel'nikov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1482 (1998) [Semicond. 32, 1323 (1998)].
11. O. Brandt, L. Tapfer, K. Ploog, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 44, 8043 (1991).
12. Y. Nabetani, A. Wakahara, and A. Sasaki, J. Appl. Phys. 78, 6461 (1995).
13. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
14. M. Colocci, F. Bogani, L. Carraresi, et al., Appl. Phys. Lett. 70, 3140 (1997).
15. H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1548 (1998).
16. S. Noda, T. Abe, and M. Tamura, Phys. Rev. B: Condens. Matter 58, 7181 (1998).
17. G. L. Rowland, T. J. C. Hosea, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3268 (1998).
18. W. G. Stallard, A. S. Plaut, S. Thoms, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1898 (1998).
19. G. É. Tsyrlin, V. N. Petrov, V. G. Dubrovskiǐ, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 902 (1997) [Semicond. 31, 768 (1997)].
20. G. É. Tsyrlin, V. N. Petrov, V. G. Dubrovskiǐ, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 902 (1997) [Semicond. 31, 768 (1997)].
21. Y. Nabetani, N. Yamamoto, T. Tokuda, et al., J. Cryst. Growth 146, 363 (1995).
22. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, et al., Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
23. Q. W. Mo, T. W. Fan, Q. Gong, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3518 (1998).
24. H. Lee, R. Lowe-Webb, T. J. Johnson, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3556 (1998).
25. H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, et al., Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 36, 4118 (1997).
26. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B: Condens. Matter 50, 11687 (1994).
27. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, et al., Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
28. N. Ikoma and S. Ohkouchi, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L724 (1995).
29. O. Brandt, G. C. La Rocca, A. Heberle, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 45, 3803 (1992).
30. Y. Tokura, H. Saito, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 94, 46 (1989).
31. V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, A. K. Kryzhanovskiǐ, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 860 (1998) [Semicond. 32, 765 (1998)].
32. V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, A. K. Kryzhanovskiǐ, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 860 (1998) [Semicond. 32, 765 (1998)].
33. M. Grundmann, O. Stier, and D. Bimberg, Phys. Rev. B: Condens. Matter 52, 11969 (1995).
34. P. M. Petroff, K. H. Schmidt, G. M. Ribeiro, et al., Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 36, 4068 (1997).
35. T. Ide, A. Yamashita, and T. Mizutani, Phys. Rev. B: Condens. Matter 46, 1905 (1992).
36. G. M. Guryanov, G. E. Cirlin, A. O. Golubok, et al., Surf. Sci. 352-354, 646 (1996).
37. M. Grundmann, R. Heitz, N. Ledentsov, et al., Superlattices Microstruct. 19, 81 (1996).
38. M. A. Cusack, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B: Condens. Matter 54, R2300 (1996).
39. N. N. Ledentsov, P. D. Wang, S. M. Sotomayor Torres, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 50, 12171 (1994).
40. S. Raymond, S. Fafard, P. J. Poole, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 54, 11548 (1996).
41. S. Yu. Verbin, B. V. Novikov, R. B. Jufer, et al., in Proceedings of Seventh International Symposium on Nano-structures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1999), p. 63.
42. M. J. Steer, D. J. Mowbray, W. R. Tribe, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 54, 17738 (1996).
43. T. Saitoh, H. Takeuchi, J. Konda, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1217 (1996).
44. A. Bossacchi, F. Colonna, S. Franchi, et al., J. Cryst. Growth 150, 185 (1995).
45. K. Mukai, N. Ohsuka, and M. Sugawara, Appl. Phys. Lett. 70, 2416 (1997).
46. Z. M. Fang, K. Y. Ma, D. H. Jaw, et al., J. Appl. Phys. 67, 7034 (1990).
47. W. Yang, R. R. Lowe-Webb, H. Lee, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 56, 13314 (1997).
48. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 58, R15981 (1998).
49. P. Chen, Q. Xie, A. Madhukar, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2568 (1994).
50. H. Saito, K. Nishi, and S. Sugou, Appl. Phys. Lett. 73, 2742 (1998).
51. G. D. Lian, J. Yuan, L. M. Brown, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 49 (1998).
52. J. M. García, T. Mankad, P. O. Holtz, et al., Appl. Phys. Lett. 72, 3172 (1998).
53. A. J. Williamson and A. Zunger, Phys. Rev. B: Condens. Matter 58, 6724 (1998).
54. A. J. Williamson, A. Zunger, and A. Canning, Phys. Rev. B: Condens. Matter 57, R4253 (1998).
55. I. E. Itskevich, S. G. Lyapin, I. A. Troyan, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 58, R4250 (1998).
56. F. Hatami, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, et al., Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995).
57. D. I. Lubyshev, P. P. González-Borrero, E. Marega, Jr., et al., Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996).
58. G. Wang, S. Fafard, D. Leonard, et al., Appl. Phys. Lett. 64, 2815 (1994).
59. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor Torres, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 50, 1604 (1994).
60. M. Bayer, S. N. Walck, T. L. Reinecke, et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter 57, 6584 (1998).
61. M. A. Cusack, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B: Condens. Matter 56, 4047 (1997).
62. H. Jiang and J. Singh, Phys. Rev. B: Condens. Matter 56, 4696 (1997).
63. P. N. Brounkov, A. Polimeni, S. T. Stoddart, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1092 (1998).
64. H. Lee, W. Yang, and P. C. Sercel, Phys. Rev. B: Condens. Matter 55, 9757 (1997).
65. F. Bogani, L. Carraresi, R. Mattolini, et al., Solid-State Electron. 40, 363 (1996).
66. H. Yu, S. Lycett, C. Roberts, et al., Appl. Phys. Lett. 69, 4087 (1996).
67. J. Kim, L.-W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. B: Condens. Matter 57, R9408 (1998).
68. R. Heitz, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996).
69. S. Fafard, D. Leonard, J. L. Merz, et al., Appl. Phys. Lett. 65, 1388 (1994).