Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by uitrahigh-vacuum/ chemical vapor deposition: Process fundamentals

IBM Journal of Research and Development

Volumn 44, Issue 1-2, 2000, Pages 132-141

  Meyerson, B S ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR GROWTH; VACUUM TECHNOLOGY;

ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UHV/CVD);

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 0033689942     PISSN: 00188646     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1147/rd.441.0132     Document Type: Article

References (32)

1. B. S. Meyerson, Appl. Phys. Leu. 48, 797 (1986).
2. B. S. Meyerson, F. K. LeGoues, T. N. Nguyen, and D. L. Harame, Appl. Phys. Lett. 50, 113 (1987).
3. B. S. Meyerson, K. J. Uram, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. S3, 2555 (1988).
4. S. lyer, R. A. Metzger, and F. G. Aliéner, J. Appl. Phys. 52, 5608 (1981).
5. R. People, Phys. Rev. B 32, 1405 (1985).
6. D. V. Lang, R. People, J. C. Bean, and A. M. Sergent, Appl. Phys. Lett. 47, 1333 (1985).
7. D. J. Eagle sham, H. J. Gossman, and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 65, 1227 (1990).
8. S. S. lyer, J. C. Tsang, M. W. Copel, P. R. Pukite, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 54, 219 (1989).
9. S. S. lyer, S. L. Delage, and G. J. Scilla, Appl. Phys. Lett. 52, 486 (1988).
10. F. W. Smith and G. Ghiddini, J. Electrochem. Soc. 133, 1300 (1982).
11. G. Ghiddini and F. W. Smith, J. Electrochem. Soc. 131, 2924 (1984).
12. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev. 31, 187 (1970).
13. B. S. Meyerson, F. Himpsel, and J. K. Uram, Appl. Phys. Lett. 57, 1034 (1990).
14. T. Ohmi, T. Ichikawa, T. Shibata, K. Matsudo, and H. Iwabuchi, Appl. Phys. Lett. 53, 45 (1988).
15. T. J. Donahue and R. Reif, J. Appl. Phys. 57, 2757 (1985).
16. B. S. Meyerson, B. A. Scott, and R. Tseui, Chetntronics 1, 166 (1986).
17. B. S. Meyerson and W. L. Olbricht, J. Electrochem. Soc. 131, 2361 (1984).
18. B. S. Meyerson and J. M. Yu, J. Electrochem. Soc. 131, 2366 (1984).
19. J. Robinson and K. A. Holbrook, Unimolecular Reactions, Wiley Interscience Press, New York, 1972.
20. W. Forst, Theory of Unimolecular Reactions, Academic Press, Inc., New York, 1973.
21. J. H. Purnell and R. Walsh, Proc. Roy. Soc. A 293, 543 (1966).
22. B. S. Meyerson and J. M. Jasinski, Appl. Phys. Lett. 61, 785 (1987).
23. P. J. Wang, F. F. Fang, B. S. Meyerson, J. Nocera, and B. Parker, Appl. Phys. Lett. 54, 2701 (1989).
24. P. J. Wang, B. S. Meyerson, F. F. Fang, J. Nocera, and B. Parker, Appl. Phys. Lett. SS, 2333 (1989).
25. G. L. Patton, D. L. Harame, G. J. Scilla, F. K. LeGoues, E. Ganin, P. J. Wang, and E. F. Crabbe, Proc. Sixth Int. Symp. Silicon Mater. Sei. & Technol. 90-7, 174 (1990).
26. T. Nguyen, D. L. Harame, J. M. Stork, F. K. LeGoues, and B. S. Meyerson, Technical Digest, Proceedings of IEDM '86, IEEE, Los Angeles, 1986, p. 304.
27. J. M. Stork, D. L. Harame, B. S. Meyerson, and T. Nguyen, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1503 (1989).
28. H. Harame, J. M. Stork, B. S. Meyerson, T. N. Nguyen, and G. J. Scüla, Electron Device Lett. 10, 156 (1989).
29. G. L. Patton, D. L. Harame, J. M. Stork, B. S. Meyerson, G. J. Scilla, and E. Ganin, Technical Digest, 1989 Symposium on VLSI Technology, IEEE, Kyoto, Japan, 1989, p. 95.
30. G. L. Patton, J. H. Comfort, B. S. Meyerson, E. F. Crabbe, G. J. Scilla, E. DeFresart, J. M. Stork, J. Y. Sun, D. L. Harame, and J. Burghartz, Electron Device Lett. 11, 171 (1990).
31. G. L. Patton, D. L. Harame, J. M. Stork, B. S. Meyerson, G. J. Scilla, and E. Ganin, Electron Device Lett. 10, 534 (1989).
32. S. S. lyer and F. K. LeGoues, J. Appl. Phys. 65, 4693 (1989).