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Volumn 4000 (I), Issue , 2000, Pages 283-292

Patterning 220 nm pitch DRAM patterns by using double mask exposure

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COMPUTER SIMULATION; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; MASKS;

EID: 0033684901     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.389017     Document Type: Conference Paper
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References (8)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.