Effects of RF plasma parameters on the growth of InGaN/GaN heterostructures using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 34, Issue SUPPL. 3, 1999, Pages

  Shim, K H ^a   Paek, M C ^a   Kim, K H ^a   Hong, S U ^a   Cho, K I ^a   Lee, H G ^b   Kim, J ^c  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Chungbuk National University   (South Korea)

^c Hoseo University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033452960     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (16)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
2. C. J. Tsai, H. A. Atwater and T. Vreeland, Appl. Phys. Lett. 57, 2305 (1990).
3. C. H. Choi and S. A. Barnett, Appl. Phys. Lett. 55, 2319 (1989).
4. S. A. Barnett, C. H. Choi and R. Kaspi, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 201 (1991).
5. M. S. H. Leung, R. Klockenbrink, C. Kisielowski, H. Fujii, J. Kruger, Sudkier G. S., A. Anders, Z. Liliental-Weber, M. Rudin and E. R. Weber, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 221 (1997).
6. H. Fujii, C. Kisielowski, J. Krueger, M. S. Leung, R. Klockenbrink, M. Rubin and E. R. Weber, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 227 (1997).
7. M. Yeadon, F. Hamdani, G. Y. Xu, A. Salvador, A. E. Botchkarev, J. M. Gibson and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 70, 3023 (1997).
8. K. H. Shim, J. M. Myoung, O. Gluschenkov, K. Kim, C. Kim and I. Robinson, Jap. J. of Appl. Phys. Lett. 37, 313 (1998).
9. K. H. Shim, Ph.D. Thesis, The University of Illinois at Urbana-Champaign, 1997.
10. -3.
11. W. J. Varhue, J. L. Rogers, P. S. Andry and E. Edams, Appl. Phys. Lett. 68, 349 (1966).
12. M. V. R. Murty, H. A. Atwater, A. J. Kellock and J. E. E. Baglin, Appl. Phys. Lett. 62, 2566 (1993).
13. J. M. E. Harper, J. J. Cuomo and H. T. G. Hentzell, Appl. Phys. Lett. 43, 547 (1983).
14. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
15. J. A. Venables, G. D. T. Spiller and M. Hanbucken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984).
16. O. Ambacher, M. S. Brandt, R. Dimitrov, T. Metzger, M. Stutzmann, R. A. Fischer, A. Miehr, A. Bergmaier and G. Dollinger, J. Vac. Sci. Technol. B14, 3532 (1996).