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Volumn 2, Issue , 1999, Pages 1175-1178

New method for making shallow p-type junctions

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BORON COMPOUNDS; FLUORINE; ION IMPLANTATION; ION SOURCES; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0033344139     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (11)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.