Size determination of InAs quantum dots using magneto-tunnelling experiments

Semiconductor Science and Technology

Volumn 14, Issue 11, 1999, Pages

  Hapke Wurst, I ^a   Zeitler, U ^a   Schumacher, H W ^a   Haug, R J ^a   Pierz, K ^b   Ahlers, F J ^b  

^a LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

^b PHYSIKALISCH TECHNISCHE BUNDESANSTALT   (Germany)

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ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRODES; ELECTRON TUNNELING; MAGNETIC FIELDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SIZE DETERMINATION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

INDIUM ARSENIDE; MAGNETO TUNNELLING EXPERIMENTS; STRUCTURAL DOT SIZE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0033335107     PISSN: 02681242     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0268-1242/14/11/104     Document Type: Article

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