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Volumn , Issue , 1999, Pages 27-28

Minimizing body instability in deep sub-micron SOI MOSFETs for sub-1V RF applications

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ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC POTENTIAL; IONIZATION; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY; SPURIOUS SIGNAL NOISE; STABILITY; TEMPERATURE;

EID: 0033280896     PISSN: 07431562     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.