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Volumn 6, Issue 6, 1999, Pages 1067-1071

In situ growth studies of In and Ga on Si(001) using STM

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EID: 0033259477     PISSN: 0218625X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S0218625X99001165     Document Type: Article
Times cited : (8)

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    • M. M. R. Evans and J. Nogami, submitted for publication, 1999.
    • (1999)
    • Evans, M.M.R.1    Nogami, J.2


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.