Lasing at a wavelength close to 1.3 μm in InAs quantum-dot structures

Semiconductors

Volumn 33, Issue 8, 1999, Pages 929-932

  Kovsh, A R ^a   Zhukov, A E ^a   Maleev, N A ^a   Mikhrin, S S ^a   Ustinov, V M ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Maksimov, M V ^a   Volovik, B V ^a   Bedarev, D A ^a   Shernyakov, Yu M ^a   Kondrat'eva, E Yu ^a   Ledentsov, N N ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov, Zh I ^a   Bimberg, D ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033177597     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187631     Document Type: Article

References (17)

1. S. Seki, H. Oohasi, H. Sugiura, T. Hirono, and K. Yokoyama, J. Appl. Phys. 79, 2192 (1996).
2. Y. Qian, Z. H. Zhu, Y. H. Lo, D. L. Huffaker, D. G. Deppe, H. Q. Hou, B. E. Mammons, W. Lin, and Y. K. Tu, Appl. Phys. Lett. 71, 25 (1997).
3. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
4. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
5. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1710 (1994).
6. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) Semiconductors 30, 707 (1996)].
7. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 707 (1996)].
8. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M. C. Larson, and K. Uomi, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 487 (1998).
9. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
10. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, A. V. Lunev, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 180 (1999) Semiconductors 33, 153 (1999)].
11. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, A. V. Lunev, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 180 (1999) [Semiconductors 33, 153 (1999)].
12. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
13. B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, D. A. Bedarev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, N. A. Maleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, D. Bimberg, and P. Werner, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 990 (1999) Semiconductors 33, 901 (1999)].
14. B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, D. A. Bedarev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, N. A. Maleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, D. Bimberg, and P. Werner, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 990 (1999) [Semiconductors 33, 901 (1999)].
15. A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 215 (1999) Semiconductors 33, 184 (1999)].
16. A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 215 (1999) [Semiconductors 33, 184 (1999)].
17. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 175/176, 689 (1997).