Electrical properties of epitaxial indium arsenide and narrow band solid solutions based on it

Semiconductors

Volumn 33, Issue 7, 1999, Pages 719-725

  Voronina, T I ^a   Lagunova, T S ^a   Moiseev, K D ^a   Rozov, A E ^a   Sipovskaya, M A ^a   Stepanov, M V ^a   Sherstnev, V V ^a   Yakovlev, Yu P ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033164812     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187768     Document Type: Article

References (23)

1. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. A. Gorelenok, T. S. Lagunova, A. M. Litvak, M. A. Sipovskaya, S. P. Starosel'tseva, V. A. Tikhomirova, and V. V. Sherstnev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26, 1612 (1992) [Sov. Phys. Semicond. 26, 905 (1992)].
2. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. A. Gorelenok, T. S. Lagunova, A. M. Litvak, M. A. Sipovskaya, S. P. Starosel'tseva, V. A. Tikhomirova, and V. V. Sherstnev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26, 1612 (1992) [Sov. Phys. Semicond. 26, 905 (1992)].
3. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 421 (1993) [Semiconductors 27, 236 (1993)].
4. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 421 (1993) [Semiconductors 27, 236 (1993)].
5. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 421 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 390 (1991)].
6. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 421 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 390 (1991)].
7. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, N. A. Prokof'eva, T. B. Popova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 1639 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 989 (1991)].
8. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, N. A. Prokof'eva, T. B. Popova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 1639 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 989 (1991)].
9. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, M. A. Sipovskaya, I. N. Timchenko, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1777 (1993) [Semiconductors 27, 978 (1993)].
10. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, M. A. Sipovskaya, I. N. Timchenko, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1777 (1993) [Semiconductors 27, 978 (1993)].
11. A. N. Baranov, A. A. Gorelenok, A. M. Litvak, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Zh. Neorg. Khim. 37, 448 (1992).
12. A. N. Baranov, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 98 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 59 (1990)].
13. A. N. Baranov, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 98 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 59 (1990)].
14. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1072 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 676 (1990)].
15. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1072 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 676 (1990)].
16. T. I. Voronina, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 2001 (1994) [Semiconductors 28, 1103 (1994)].
17. T. I. Voronina, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 2001 (1994) [Semiconductors 28, 1103 (1994)].
18. J. C. De Winter, M. A. Pollack, A. K. Srivastava, and J. L. Zyskind, J. Electron. Mater. 4 729 (1985).
19. M. A. Afrailov, A. N. Baranov, A. P. Dmitriev, M. P. Mikhaǐlova, Yu. P. Smorchkova, I. N. Timchenko, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, and I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1397 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 876 (1990)].
20. M. A. Afrailov, A. N. Baranov, A. P. Dmitriev, M. P. Mikhaǐlova, Yu. P. Smorchkova, I. N. Timchenko, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, and I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1397 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 876 (1990)].
21. A. N. Baranov, B. E. Dzhurtanov, A. M. Litvak, N. A. Charikov, A. G. Chernyavskiǐ, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Zh. Neorg. Khim. 35, 3008 (1990).
22. E. P. Gertner, D. T. Cheung, A. N. Andrews, and J. T. Longo, J. Electron. Mater. 6, 163 (1977).
23. T. Fukui and J. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 587 (1981).