Dry ex situ cleaning processes for (0001)Si 6H-SiC surfaces

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 146, Issue 7, 1999, Pages 2648-2651

  King, Sean W ^a   Nemanich, Robert J ^b   Davis, Robert F ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRY CLEANING; OXIDATION; OZONE; REDUCTION; ULTRAVIOLET RADIATION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

DRY EX SITU CLEANING;

SILICON CARBIDE;

EID: 0032686340     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1391986     Document Type: Article

References (44)

1. R. F. Davis, G. Kelner, M. Shur, J. Palmour, J. A. Edmond, Proc. IEEE, 79, 677 (1991).
2. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992).
3. W. Kern, RCA Rev., 39, 278 (1978).
4. W. Kern, J. Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990).
5. T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 143, 1957 (1996).
6. G. R. Srinivasan and B. S. Meyerson, J. Electrochem. Soc., 134, 1518 (1987).
7. B. S. Meyerson, E. Ganin, D. A. Smith, and T. N. Nguyen, J. Electrochem. Soc., 133, 1232 (1986).
8. M. K. Sanganeria, M. C. Ozturk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, C. A. Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 3961 (1995).
9. F. K. LeGoues, MRS Bull., 21, 38 (1996).
10. L. M. Porter, R. F. Davis, J. S. Bow, M. J. Kim, R. W. Carpenter, R. C. Glass, J. Mater. Res., 10, 668 (1995).
11. H. Tsuchida, I. Kamata, and K. Izumi, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 6003 (1995).
12. Y. Mizokawa, S. Nakanishi, O. Komoda, S. Miyase, H. S. Diang, C. Wang, N. Li, and C. Jiang, J Appl. Phys., 67, 264 (1990).
13. U. Starke, Ch. Bram, P. R. Steiner, W. Hartner, L. Hammer, K. Heinz, K. Muller, Appl. Surf. Sci., 89, 175 (1995).
14. M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, M. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., 62, 702 (1993).
15. S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, J. Electrochem. Soc., 146, 1910, (1999).
16. B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett., 57, 1034 (1990).
17. M. Grundner and H. Jacob, Appl. Phys. A, 39, 73 (1986).
18. Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 2104 (1989).
19. G. S. Higashi, R. S. Becker Y. J Chabal, and A. J. Becker, Appl. Phys. Lett., 58, 1656 (1991).
20. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett., 56, 656 (1990).
21. M. Houston and R. Maboudian, J. Appl. Phys., 68, 3801 (1995).
22. J. R. Vig, J. Vac. Sci. Techonl. A, 3, 1027 (1985).
23. M. Tabe, Appl. Phys. Lett., 45, 1073 (1984).
24. V. Y. Forainski, O. I. Naoumenko, V. N. Nevolin, A. P. Alekhin, A. M. Markeev, and L. A. Vyukov, Appl. Phys. Lett., 68, 2243 (1996).
25. T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishitani, H. Kuroda, and Y. Nagasawa, J. Appl. Phys., 64, 3516 (1988).
26. J. A. McClintock, R. A. Wilson, and N. E. Byer, J. Vac. Sci. Technol., 20, 241 (1982).
27. R. F. Kopf, A. P. Kinsella, and C. W. Ebert, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 132 (1991).
28. M. Suemitsu, T. Kaneko, and M. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys., 28, 2421 (1989).
29. S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy, W. S. Hobson, and H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett., 58, 1416 (1991).
30. S. Baunack and A. Zehe, Phys. Status. Solidi A, 115, 223 (1989).
31. S. S. Iyer, M. Arienzo, and E. de Fresart, Appl. Phys. Lett., 57, 893 (1990).
32. R. Iscoff, Semicond. Int., 7, 58 (1993).
33. W. A. Cady and M. Varadarajan, J. Electrochem. Soc., 143, 2054 (1996).
34. J. van der Weide, Ph.D. Thesis, North Carolina State University, Raleigh, NC (1994).
35. T. J. Chuang, H. F. Winters, and J. W. Coburn, Surf. Sci., 2, 514 (1978).
36. J. W. Coburn, H. E. Winters, and T. J. Chuang, J. Appl. Phys., 48, 3532 (1977).
37. V. S. Smentkowski, J. T. Yates, Jr., X. Chen, and W. A. Goddard, III, Surf. Sci., 370, 209 (1997).
38. T. J. Chuang, J. Appl. Phys., 51, 2614 (1980).
39. C. D. Stinespring and A. Freedman, Appl. Phys. Lett., 48, 718 (1986).
40. J. H. Thomas III and L. H. Hammer, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1617 (1987).
41. G. Hollinger and F. J. Himpsel, Appl. Phys. Lett., 44, 93 (1984).
42. G. Hollinger and F. J. Himpsel, J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 640 (1983).
43. A. Miyauchi, Y. Inoue, M. Ohue, N. Momma, and T. Suzuki, J. Electrochem. Soc., 137, 3257 (1990).
44. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, M. Bassler, G. Pensi, M. J. Schulz, and C. I. Harris, Appl. Phys. Lett., 68, 2141 (1996).