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Volumn , Issue , 1999, Pages

Characteristics of the high-power 980 nm laser diodes with decoupled confinement heterostructure

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FIBER LASERS; HETEROJUNCTIONS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0032667094     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.