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Volumn , Issue , 1999, Pages 228-231

Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a 0.8 μm BiCMOS technology

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AVALANCHE DIODES; BIPOLAR INTEGRATED CIRCUITS; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRIC BREAKDOWN OF SOLIDS; LIGHT EMISSION; SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0032655362     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.