Room-temperature photoreflectance and photoluminescence characterization of the AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor structures with varied quantum well compositional profiles

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 12, 1999, Pages 8235-8241

  Lin, D Y ^a,e   Liang, S H ^a   Huang, Y S ^a   Tiong, K K ^b   Pollak, Fred H ^c   Evans, K R ^d  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN OCEAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c CITY UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^d Quantum Epitaxial Designs Inc   (United States)

^e Nan Kai Coll of Technol and Comm   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRON GAS; ELECTRON TRANSITIONS; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; FERMI LEVEL; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; LIGHT REFLECTION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES;

MODULATION DOPED QUANTUM WELLS; PHOTOREFRACTIVE SPECTRA;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0032615119     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370664     Document Type: Article

References (38)

1. S. Takamiya, N. Yoshida, N. Hayafuji, T. Sonoda, and S. Mitsui, Solid-State Electron. 38, 1581 (1995).
2. K. J. Chen, K. Maezawa, K. Arai, M. Yamamoto, and T. Enoki, Electron. Lett. 31, 925 (1995).
3. R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
4. A. Ketterson, M. Moloney, W. T. Masselink, C. K. Peng, J. Klem, R. Fischer, W. Kopp, and H. Morkoc, IEEE Electron Device Lett. 6, 628 (1985).
5. J. M. Gerard and J. Y. Marzin, Phys. Rev. B 45, 6313 (1992).
6. H. Toyisguna, T. Niwa, J. Yamazaki, and A. Okamoto, Appl. Phys. Lett. 63, 821 (1993).
7. K. R. Evans, R. Kaspi, J. E. Ehret, M. Skowronski, and C. R. Jones, J. Vac. Sci. Technol. 13, 1820 (1995).
8. J. M. Moison, C. Guille, F. Houzay, F. Barthe, and M. V. Rompay, Phys. Rev. B 40, 6149 (1989).
9. H. S. Hansen, A. Bensaoula, S. Tougaard, J. Zborowski, and A. Ignatiev, J. Cryst. Growth 116, 271 (1992).
10. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, J. Cryst. Growth 127, 546 (1993).
11. H. Toyoshima, T. Niwa, Y. Yamazaki, and A. Okamoto, J. Appl. Phys. 75, 3908 (1994).
12. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1992).
13. J. Nagle, J. P. Landesman, M. Larive, C. Mottet, and P. Bois, J. Cryst. Growth 127, 550 (1993).
14. J. Gerard, M. C. d'Anterroc, and J. Y. Marzin, J. Cryst. Growth 127, 536 (1993).
15. Y. Yin, H. Qiang, F. H. Pollak, D. C. Streit, and M. Wojtowicz, Appl. Phys. Lett. 61, 1579 (1992).
16. Y. Yin, H. Qiang, D. Yan, F. H. Pollak, and T. F. Nobles, Semicond. Sci. Technol. 8, 1599 (1993).
17. S. Das Sarma, R. Jalabert, and S. R. E. Yang, Phys. Rev. B 41, 8288 (1990).
18. A. Marti Ceschin, A. A. Quivy, J. A. N. T. Soares, R. Enderlein, A. Tabata, L. M. R. Scolfar, E. C. F. da Silva, J. R. Leite, J. B. B. Oliveir, and E. A. Meneses, Superlattices Microstruct. 15, 333 (1994).
19. D. E. Aspnes, in Handbook on Semiconductors, edited by M. Balkanski (North-Holland, Amsterdam, 1980), p. 109.
20. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R. 10, 275 (1993).
21. H. Shen, S. H. Pan, F. H. Pollak, M. Dutta, and T. R. AuCoin, Phys. Rev. B 36, 9384 (1987).
22. D. Huang, H. Y. Chu, Y. C. Chang, R. Houdre, and H. Morkoc, Phys. Rev. B 38, 1246 (1988).
23. S. Schmitt-Rink, D. S. Chemla, and D. A. B. Miller, Adv. Phys. 38, 89 (1989).
24. F. Stern and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 30, 840 (1984).
25. G. Livescu, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, M. Ramaswamy, T. Y. Chang, N. Sauer, A. C. Gossard, and J. H. English, IEEE J. Quantum Electron. 24, 1677 (1988).
26. S. K. Brierley, J. Appl. Phys. 74, 2760 (1993).
27. S. K. Lyo and E. D. Jones, Phys. Rev. B 38, 4113 (1988).
28. J. Christen and D. Bimberg, Phys. Rev. B 42, 7213 (1990).
29. R. Kaspi and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 67, 819 (1995).
30. S. H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F. H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A. P. Roth, R. A. Masut, C. Lacelle, and D. Morris, Phys. Rev. B 38, 3375 (1988).
31. F. Stern and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 30, 840 (1984).
32. H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P. G. Newman, R. P. Moerkirk, W. H. Chang, and R. N. Sacks, Appl. Phys. Lett. 57, 2118 (1990).
33. S. Niki, C. L. Lin, W. S. C. Chang, and H. H. Wieder, Appl. Phys. Lett. 55, 1339 (1989).
34. X. Yin, F. H. Pollak, L. Pawlowicz, T. O'Neill, and M. Hafizi, Appl. Phys. Lett. 56, 1278 (1990).
35. D. Yan, F. H. Pollak, V. T. Boccio, C. L. Lin, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, R. C. Gee, and P. M. Asbeck, Appl. Phys. Lett. 61, 2066 (1992).
36. T. F. Kuech, D. J. Wolford, R. Potemski, J. A. Bradley, K. H. Kelleher, D. Yan, J. P. Farrell, P. M. S. Lesser, and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 51, 505 (1987).
37. G. Bastard, Phys. Rev. B 25, 7584 (1982).
38. H. Shen, S. H. Pan, Z. Hang, F. H. Pollak, and R. N. Sacks, Solid State Commun. 65, 929 (1988).