Upconversion luminescence of Er-implanted GaN films by focused-ion-beam direct write

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 13, 1999, Pages 1833-1835

  Chao, L C ^a   Lee, B K ^a   Chi, C J ^a   Cheng, J ^a   Chyr, I ^a   Steckl A J ^a  

^a University of Cincinnati   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ERBIUM; FILM GROWTH; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTONS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

FOCUSED-ION-BEAM (FIB) IMPLANTATION; GALLIUM NITRIDE; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY; UPCONVERSION LUMINESCENCE;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032613441     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124843     Document Type: Article

References (21)

1. R. G. Wilson, R. N. Schwartz, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 65, 992 (1994).
2. C. H. Qiu, M. W. Leksono, J. I. Pankove, J. T. Torvik, R. J. Feuerstein, and F. Namavar, Appl. Phys. Lett. 66, 562 (1995).
3. S. Kim, S. J. Rhee, D. A. Turnbull, E. E. Reuter, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 71, 231 (1997).
4. D. M. Hansen, R. Zhang, N. R. Perkins, S. Safvi, L. Zhang, K. L. Bray, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 72, 1244 (1998).
5. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, J. T. Seo, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 72, 2710 (1998).
6. A. J. Steckl and R. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1998).
7. R. Birkhahn and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 73, 2143 (1998).
8. A. J. Steckl, M. Garter, R. Birkhahn, and J. Scofield, Appl. Phys. Lett. 73, 2450 (1998).
9. M. Garter, J. Scofield, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 74, 182 (1999).
10. H. J. Lozykowski, W. M. Jadwisienczak, and I. M. Brown, Appl. Phys. Lett. 74, 1129 (1999).
11. R. Birkhahn, M. Garter, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 74, 2161 (1999).
12. L. C. Chao and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 74, 2364 (1999).
13. A. J. Steckl, M. Garter, D. S. Lee, J. Heikenfeld, and R. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. (in press).
14. J. Heikenfeld, M. Garter, D. S. Lee, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999).
15. L. C. Chao and A. J. Steckl, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1056 (1999).
16. J. P. Biersack and L. J. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
17. M. Shojiya, M. Takahashi, R. Kanno, Y. Kawamoto, and K. Kadono, Appl. Phys. Lett. 67, 2453 (1995).
18. R. H. Birkhahn, R. Hudgins, D. S. Lee, B. K. Lee, and A. J. Steckl, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.80 (1999) (available from http://www.nsr.mij.mrs.org/2/5/).
19. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991).
20. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Gauneau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 181 (1993).
21. C. B. de Araújo, L. S. Menezes, G. S. Maciel, L. H. Acioli, A. S. L. Gomes, Y. Messaddeq, A. Florez, and M. A. Aegerter, Appl. Phys. Lett. 68, 602 (1996).