Hydrogenic Impurity States in n-Doped and Undoped Quantum Wells of GaAs-AlxGa1-xAs Embedded in Intense Laser Fields

Journal of the Physical Society of Japan

Volumn 67, Issue 2, 1998, Pages 513-518

  Qu, Fanyao ^a   De Morais, Paulo César ^a  

^a UNIVERSITY OF BRASILIA   (Brazil)

Author keywords

Impurity; Intense laser field; Quantum well; Semiconductor structure

Indexed keywords

EID: 0032373196     PISSN: 00319015     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JPSJ.67.513     Document Type: Article

References (19)

1. J. E. Hasbun: Phys. Rev. B 52 (1995) 11989.
2. I. Watanabe, T. Torikai and K. Taguchi: J. Quantum Electron. 31 (1995) 1826.
3. G. Bastard: Phys. Rev. B 24 (1981) 4714.
4. S. Fraizzoli, F. Bassani and R. Buczko: Phys. Rev. B 41 (1990) 5096; A. Latge and L. E. Oliveira: J. Appl. Phys. 77 (1995) 1328.
5. S. Fraizzoli, F. Bassani and R. Buczko: Phys. Rev. B 41 (1990) 5096; A. Latge and L. E. Oliveira: J. Appl. Phys. 77 (1995) 1328.
6. W. T. Masselink, Y. C. Chang and H. Morkoc: Phys. Rev. B 28 (1983) 7373.
7. B. Yoo, B. D. McCombe and W. Schaff: Phys. Rev. B 44 (1991) 13152.
8. R. L. Greene and K. K. Bajaj: Phys. Rev. B 31 (1985) 913.
9. A. L. A. Fonseca, M. A. Amato and O. A. C. Nunes: Phys. Status Solidi B 186 (1994) K57.
10. Fanyao Qu, A. L. A. Fonseca and O. A. C. Nunes: Phys. Rev. B 54 (1996) 16405.
11. Fanyao Qu, A. L. A. Fonseca and O. A. C. Nunes: J. Appl. Phys. 82 (1997) 1236.
12. L. C. M. Miranda: Solid State Commun. 45 (1983) 783.
13. O. A. C. Nunes: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2102.
14. E. Gerck and L. C. M. Miranda: Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 837.
15. M. Gravila and J. Z. Kaminski: Phys. Rev. Lett. 52 (1984) 613.
16. W. C. Henneberger: Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 838.
17. V. M. S. Gomes, A. S. Chaves, J. R. Leite and J. M. Worlork: Phys. Rev. B 35 (1987) 3984.
18. A. S. Chaves, A. F. S. Penna, J. M. Worlock, G. Weimann and W. Schlapp: Surf. Sci. 170 (1986) 618.
19. G. Bastard: Phys. Rev. B 24 (1981) 4714.