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Volumn 18, Issue 4, 1998, Pages 283-288

Study on deposition mechanism of nc-Si:H films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition

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CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MICROSTRUCTURE; PLASMAS; THERMODYNAMICS;

EID: 0032308976     PISSN: 02539748     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.