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Volumn 33, Issue SUPPL. 2, 1998, Pages

Remote PECVD silicon nitride films with improved electrical properties for GaAs P-HEMT passivation

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EID: 0032258642     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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References (8)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.