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Volumn , Issue , 1998, Pages 50-55

Surface damage in III-V devices by dry etching

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CHLORINE; GATES (TRANSISTOR); HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; IONS; PASSIVATION; PLASMA ETCHING; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

EID: 0032255682     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.