Enhanced grain growth phenomena in excimer laser annealed microcrystalline silicon films

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 37, Issue 2, 1998, Pages 388-396

  Voutsas, Apostolos T ^a  

^a Sharp Microlectron Technology Inc   (United States)

Author keywords

Active matrix liquid crystal displays; Chemical vapor deposition; Excimer laser anneal; Grain growth mechanisms; Microcystalline silicon; Polycrystalline silicon; Thin film transistors

Indexed keywords

ANNEALING; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL MICROSTRUCTURE; CRYSTALLIZATION; EXCIMER LASERS; GRAIN GROWTH; GRAIN SIZE AND SHAPE; LIQUID CRYSTAL DISPLAYS; MELTING; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SEMICONDUCTING SILICON; THIN FILM TRANSISTORS;

MICROCRYSTALLINE MATERIALS;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032000151     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.388     Document Type: Article

References (33)

1. Y. Morimoto, K. Hirano, H. Abe, T. Kuwahara, I. Hasegawa, S. Yuda, N. Sotani and K. Yoneda: Proc. IEDM 95 (1995) p. 837.
2. T. Morita, Y. Yamamoto, M. Itoh, Y. Yoneda, Y. Yamane, S. Tsuchimoto, F. Funada and K. Awane: Proc. IEDM 95 (1995) p. 841.
3. D. N. Kouvatsos, A. T. Voutsas and M. K. Hatalis: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1399.
4. H. Y. Lin, C. Y. Chang, T. F. Lei, F. M. Liu, W. L. Yang, J. Y. Cheng, H. C. Tseng and L. P. Chen: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 503.
5. S. Chen and I. C. Hsieh: Solid State Commun. 39 (1996) 113.
6. M. Stehle: Laser Focus World (1996) 101.
7. I. C. Hsieh, S. Chen, C. H. Kuo, T. W. Sigmon and G. N. Maracas: EuroDisplay 96 Dig. (1995) p. 295.
8. J. S. Im, H. J. Kim and M. O. Thompson: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1969.
9. G. B. Anderson, J. B. Boyce, D. K. Fork, R. I. Johnson, P. Mei and S.E. Ready: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 343 (1994) 709.
10. A. T. Voutsas and M. K. Hatalis: J. Electron. Mater. 23 (1994) 319.
11. A. T. Voutsas and M. K. Hatalis: J. Appl. Phys. 76 (1994) 777.
12. T. Matsuyama, T. Baba, M. Tanaka, S. Tsuda, H. Nishiwaki, S. Nakano, H. Hanafusa and Y. Kuwano: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 275 (1992) 256.
13. K. Kitahara, K. Suga, A. Hara and K. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1473.
14. N. Sridhar, D. D. Chung and W. A. Anderson: J. Appl. Phys. 79 (1996) 1569.
15. M. K. Hatalis and D. W. Greeve: J. Appl. Phys. 63 (1988) 2260.
16. A. Gallagher: Mater. Res. Soc. Proc. 70 (1986) 3.
17. W. E. Spear and P. G. LeComber: The Physics of Hydrogenated Silicon I, eds. J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, New York, 1984) p. 63.
18. C. C. Tsai: personal communication.
19. S. Usui and M. Kikuchi: J. Non-Cryst. Solids 34 (1979) 1.
20. A. Matsuda, S. Yamazaki, K. Nakagawa, H. Okushi, K. Tanaka, S. Iizima, M. Matsumura and Y. Yamamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 19 (1980) L305.
21. T. Hamasaki, H. Kurata, M. Hirose and Y. Osaka: Appl. Phys. Lett. 37 (1980) 1084.
22. H. Kakinuma, M. Mohri, S. Sakamoto and T. Tsuruoka: J. Appl. Phys. 70 (1991) 7374.
23. D. J. McCulloch and S. D. Brotherton: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2060.
24. T. Kretz, D. Pribat, P. Legagneux, F. Plais, O. Huet and M. Magis: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 345 (1994) 123.
25. T. Noguchi, A. J. Tang, J. A. Tsai and R. Reif: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1454.
26. R. J. Nemanich, E. C. Buehler, Y. M. Legrice, R. E. Shroder, G. N. Parsons, C. Wang, G. Lucovsky and J. B. Boyce: J. Non-Cryst. Solids 114 (1989) 813.
27. A. T. Voutsas and M. K. Hatalis: J. Appl. Phys. 78 (1995) 6999.
28. G. K. Giust and T. W. Sigmon: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 767.
29. M. Kimura and K. Egami: Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 420.
30. M. W. Geis, D. A. Antoniadis, D. J. Silversmith, R. W. Mountain and H. I. Smith: Appl. Phys. Lett. 37 (1980) 454.
31. T. I. Kamins: J. Electrochem. Soc. 127 (1980) 686.
32. H.. Makino, K. Mimura and H. Matsumura: Asia Display 95 Dig. (1995) p. 325.
33. M. Mohri, H. Kaninuma, M. Sakamoto and H. Sawai: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L779.