Two-dimensional pn-junction delineation and individual dopant identification using scanning tunneling microscopy/spectroscopy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 1, 1998, Pages 453-456

  Chao, Kuo Jen ^a   Smith, Arthur R ^a   McDonald, Andrew J ^a   Kwong, Dim Lee ^b   Streetman, Ben G ^b   Shih, Chih Kang ^a  

^a UNIVERSITY OF TEXAS AT AUSTIN   (United States)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; EPITAXIAL GROWTH; ION IMPLANTATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POINT DEFECTS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTROSCOPY; SURFACES;

CURRENT IMAGING TUNNELING SPECTROSCOPY; SCANNING CAPACITANCE MICROSCOPY;

SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

EID: 0031706940     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589829     Document Type: Article

References (57)

1. H. Cerva, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 491 (1992).
2. D. M. Maher and B. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 347 (1994).
3. J. Liu, M. L. A. Dass, and R. Gronsky, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 353 (1994).
4. C. Spinella, V. Raineri, F. La Via, and S. U. Campisano, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 414 (1996).
5. C. C. Williams, J. Slinkman, W. P. Hough, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 55, 1662 (1989).
6. Y. Huang and C. C. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 369 (1994).
7. G. Neubauer, A. Erickson, C. C. Williams, J. J. Kopanski, M. Rodgers, and D. Adderton, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 426 (1996).
8. Y. Huang, C. C. Williams, and H. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 433 (1996).
9. M. Barret, M. Dennis, D. Tiffin, Y. Li, and C. K. Shih, IEEE Electron Device Lett. 16, 118 (1995).
10. M. Barret, M. Dennis, D. Tiffin, Y. Li, and C. K. Shih, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 447 (1996).
11. R. Alvis, B. Mantiply, and M. Young, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 452 (1996).
12. P. Murait, Appl. Phys. Lett. 49, 1441 (1986).
13. P. Murait, H. Meier, D. W. Pohl, and H. W. M. Salemink, Appl. Phys. Lett. 50, 1352 (1987).
14. L. D. Bell, W. J. Kaiser, M. H. Hecht, and F. J. Grunthaner, Appl. Phys. Lett. 52, 278 (1988).
15. S. Hosaka, S. Hosoki, K. Takata, K. Horiuchi, and N. Natsuaki, Appl. Phys. Lett. 53, 487 (1988).
16. S. Kordic, E. J. van Loenen, D. Dijkkamp, A. J. Hoeven, and H. K. Moraal, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 549 (1990).
17. M. Tabe and M. Tanimoto, Appl. Phys. Lett. 58, 2105 (1991).
18. T. Takigami and M. Tanimoto, Appl. Phys. Lett. 58, 2288 (1991).
19. S. Kordic, E. J. van Loenen, and A. J. Walker, IEEE Electron Device Lett. 12, 422 (1991).
20. S. Kordic, E. J. van Loenen, and A. J. Walker, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 496 (1992).
21. M. B. Johnson and J.-M. Halbout, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 508 (1992).
22. J. A. Dagata, W. Tseng, J. Bennett, J. Schneir, and H. H. Harary, Appl. Phys. Lett. 59, 3288 (1991).
23. H. E. Hessel, U. Memmert, H. Cerva, and R. J. Behm, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 690 (1991).
24. E. T. Yu, M. B. Johnson, and J.-M. Halbout, Appl. Phys. Lett. 61, 201 (1992).
25. R. M. Feenstra, E. T. Yu, J. M. Woodall, P. D. Kirchner, C. L. Lin, and G. D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 61, 795 (1992).
26. S. Gwo, A. R. Smith, and C. K. Shih, Appl. Phys. Lett. 61, 1104 (1992).
27. E. T. Yu, M. B. Johnson, A. R. Powell, J.-M. Halbout, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1149 (1993).
28. A. Vaterlaus, R. M. Feenstra, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, and G. D. Pettit, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1502 (1993).
29. W. F. Tseng, J. A. Dagata, R. M. Silver, J. Fu, and J. R. Lowney, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 373 (1994).
30. A. R. Smith, S. Gwo, K. Sadra, Y. C. Shih, B. G. Streetman, and C. K. Shih, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2610 (1994).
31. M. A. Lutz, R. M. Feenstra, and J. O. Chu, Surf. Sci. 328, 215 (1995).
32. D. M. Maher and B. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 347 (1994).
33. J. Liu, M. L. A. Dass, and R. Gronsky, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 353 (1994).
34. E. A. Fitzgerald, H.-J. Gossmann, F. C. Unterwald, H. S. Luftman, and D. Monroe, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 357 (1994).
35. H. W. Salemink, M. B. Johnson, and O. Albrektsen, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 362 (1994).
36. C. Shafai, D. J. Thomson, and M. Simard-Normandin, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 378 (1994).
37. C. Spinella, V. Raineri, F. La Via, and S. U. Campisano, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 414 (1996).
38. D. Venables and D. M. Masher, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 421 (1996).
39. S. Mil'shtein, D. Kharas, C. Lee, and P. Ersland, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 437 (1996).
40. T. Hochwitz, A. H. Henning, C. Levey, C. Daghlian, J. Slinkman, J. Never, P. Kaszuba, R. Gluck, R. Wells, J. Pekarik, and R. Flinch, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 440 (1996).
41. T. Hochwitz, A. K. Henning, C. Levey, C. Daghlian, and J. Slinkman, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 457 (1996).
42. R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, J. Tersoff, and A. P. Fein, Phys. Rev. Lett. 58, 1192 (1987).
43. J. A. Stroscio, R. M. Feenstra, and A. P. Fein, Phys. Rev. Lett. 58, 1668 (1987).
44. R. M. Feenstra, J. M. Woodall, and G. D. Pettit, Phys. Rev. Lett. 71, 1176 (1993).
45. M. B. Johnson, O. Albrektsen, R. M. Feenstra, and H. W. M. Salemink, Appl. Phys. Lett. 63, 2923 (1993); 64, 1454 (1994).
46. M. B. Johnson, O. Albrektsen, R. M. Feenstra, and H. W. M. Salemink, Appl. Phys. Lett. 63, 2923 (1993); 64, 1454 (1994).
47. J. F. Zheng, X. Liu, N. Newman, E. R. Weber, D. F. Ogletree, and M. Salmeron, Phys. Rev. Lett. 72, 1490 (1994).
48. M. D. Pashley, K. W. Haberern, and R. M. Feenstra, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1874 (1992).
49. Ph. Ebert, G. Cox, U. Poppe, and K. Urban, Ultramicroscopy 42-43, 871 (1992).
50. Ph. Ebert, K. Urban, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 72, 840 (1994).
51. G. Lengel, R. Wilkins, G. Brown, and M. Weimer, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1472 (1993).
52. G. Lengel, R. Wilkins, G. Brown, M. Weimer, J. Gryko, and R. E. Allen, Phys. Rev. Lett. 72, 836 (1994).
53. S. Gwo, A. R. Smith, and C. K., Shih, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1644 (1993).
54. K.-J. Chao, A. R. Smith, and C.-K. Shih, Phys. Rev. B 53, 6935 (1996); J. Vac. Sci. Technol. B 14, 948 (1996).
55. K.-J. Chao, A. R. Smith, and C.-K. Shih, Phys. Rev. B 53, 6935 (1996); J. Vac. Sci. Technol. B 14, 948 (1996).
56. Ph. Ebert, M. Heinrich, M. Simon, C. Domke, and K. Urban, Phys. Rev. B 53, 4580 (1996).
57. A. R. Smith, S. Gwo, and C. K. Shih, Rev. Sci. Instrum. 65, 3216 (1994).