Energy order effect of aluminum multiple implantation in 6H-SiC

Materials Science Forum

Volumn 264-268, Issue PART 2, 1998, Pages 697-700

  Ottaviani, L ^a   Morvan, E ^b   Locatelli, M L ^a   Godignon, P ^b   Chante, J P ^a  

^a CNRS   (France)

^b UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA   (Spain)

Author keywords

Energy Order; Multiple Ion Implantation; Recrystallization; Simulation

Indexed keywords

ALUMINUM; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; HYDROGEN; ION IMPLANTATION; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

ENERGY ORDER EFFECT;

SILICON CARBIDE;

EID: 0031675654     PISSN: 02555476     EISSN: 16629752     Source Type: Book Series    
DOI: None     Document Type: Article

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