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Volumn , Issue , 1998, Pages 218-219

Highly robust ultra-thin gate dielectric for giga scale technology

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ELECTRIC BREAKDOWN OF SOLIDS; LEAKAGE CURRENTS; SILICON NITRIDE; ULTRATHIN FILMS;

EID: 0031636456     PISSN: 07431562     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.