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Volumn 487, Issue , 1998, Pages 229-239

Improved CdZnTe detectors grown by vertical Bridgman process

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ALPHA PARTICLES; CRYSTAL GROWTH; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ENERGY GAP; GAMMA RAYS; SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS;

EID: 0031622646     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.