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Volumn , Issue , 1997, Pages 591-594

Improved μc-Si p-layer and a-Si i-layer materials using VHF plasma deposition

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AMORPHOUS SILICON; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC CURRENTS; PLASMA APPLICATIONS; QUANTUM EFFICIENCY;

EID: 0031380176     PISSN: 01608371     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.