Chemical vapor deposition of (Ba,Sr)TiO3 thin films for application in gigabit scale dynamic random access memories

Integrated Ferroelectrics

Volumn 14, Issue 1-4, 1997, Pages 33-42

  Eguchi, Kazuhiro ^a   Kiyotoshi, Masahiro ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; CAPACITANCE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE; RANDOM ACCESS STORAGE; STOICHIOMETRY; THIN FILMS;

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM);

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0031378805     PISSN: 10584587     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/10584589708019974     Document Type: Article

References (8)

1. T. Kawahara, M. Yamamuka, T. Makita, J. Naka, A. Yuuki, N. Mikami and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 5129 (1994).
2. J. F. Scott, M. Azuma, C. A. Paz de Araujo, L. D. McMillan, M. C. Scott and T. roberts, Integrated Ferroelectrics, 4, 61 (1994).
3. K. Takemura, S. Yamamichi, P. -Y. Lesaicherre, K. Tokashiki, H. Miyamoto, H. Ono, M. Miyasaka and M Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5224 (1995).
4. C. S. Hwang, S. O. Park, H. -J. Cho, C. S. Kang, H. -K. Kang, S. I. Lee and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 67, 2819 (1995).
5. M. Yoshida, H. Yamaguchi, T. Sakuma, Y. Miyasaka, P. -Y. Lesaircherre and A. Ishitani, J. Electrochem. Soc., 142, 244 (1995).
6. S. Yamauchi, P. -Y. Lessaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and H. Ono, Dig. Int. Electron Devices Meet., Chicago, 1995 (IEEE, New York, 1995) p. 119.
7. Y. Nishioka, K. Shiozawa, Y. Oishi, K. Kanamoto, Y. Tokuda, H. Sumitani, S. Aya, H. Yabe, K. Itoga, T. Hifumi, K. Marumoto, T. Kuroiwa, T. Kawahara, K. Nishikawa, T. Oomori, T. Fujino, S. Yamamoto, S. Uzawa, M. Kimata, M. Nunoshita and H. Abe, Dig. Int. Electron Devices Meet., Chicago, 1995 (IEEE, New York, 1995) p. 903.
8. K. P. Lee, Y. S. Park, D. H. Ko, C. S. Hwang, C. J. Kang, K. Y. Lee, J. S. Kim, J. K. park, B. H. Roh, J. Y. Lee, B. C. Kim, J. H. Lee, K. N. Kim, J. W. Park and J. G. Lee, Dig. Int. Electron Devices Meet., Chicago, 1995 (IEEE, New York, 1995) p. 907.