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Volumn 1, Issue , 1997, Pages 312-316

Static and dynamic characteristics of 4H-SiC p+n and 6H-SiC Schottky diodes

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AIRCRAFT PARTS AND EQUIPMENT; ELECTRIC LOSSES; ENERGY GAP; MOSFET DEVICES; SILICON CARBIDE;

EID: 0031365167     PISSN: 0146955X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.