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Volumn 467, Issue , 1997, Pages 813-817

Stability of single and tandem junction a-Si:H solar cells grown using the ECR process

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AMORPHOUS SILICON; DEGRADATION; FABRICATION; FILM GROWTH; STABILITY;

EID: 0031360285     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-467-813     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.