Influence of nanostructure size on the luminescence behavior of silicon nanoparticle thin films

Journal of Materials Research

Volumn 12, Issue 12, 1997, Pages 3386-3392

  Seraphin, A A ^a,b   Werwa, E ^a,c   Kolenbrander, K D ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

^b INSTITUTE FOR DEFENSE ANALYSES   (United States)

^c OTTERBEIN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HYDROFLUORIC ACID; LASER ABLATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NITRIC ACID; OXIDATION; PHOTOLUMINESCENCE; PULSED LASER APPLICATIONS; SEMICONDUCTING SILICON; SYNTHESIS (CHEMICAL); THIN FILMS;

QUANTUM CONFINEMENT;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0031355348     PISSN: 08842914     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/JMR.1997.0445     Document Type: Article

References (36)

1. V. Nanyanamurti, Phys. Today 37 (10), 24 (1984).
2. M. G. Bawendi, W. L. Wilson, L. Rothberg, P. J. Carroll, T. M. Jedju, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, Phys. Rev. Lett. 65, 1623 (1990).
3. O. I. Micic, J. Sprague, Z. Lu, and A. J. Nozik, Appl. Phys. Lett. 68, 3150 (1996).
4. S. Furukawa and T. Miyasato, Phys. Rev. B 38, 5726 (1988).
5. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
6. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishikazi, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
7. P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, and D. Brumhead, J. Phys.: Cond. Matt. 5, L91 (1993).
8. L. E. Brus, P. F. Szajowski, W. L. Wilson, T. D. Harris, S. Schuppler, and P. H. Citrin, J. Am. Chem. Soc. 117, 2915 (1995).
9. D. J. Lockwood, Z. H. Lu, and J. M. Baribeau, Phys. Rev. Lett. 76, 539 (1996).
10. F. Koch, V. Petrova-Koch, and T. Muschik, J. Lumin. 57, 271 (1993).
11. Y. Kanemitsu, Phys. Rev. B 49, 16845 (1994).
12. P. M. Fauchet, E. Ettedgui, A. Raisanen, L. J. Brillson, F. Seiferth, S. K. Kurinec, Y. Gao, C. Peng, and L. Tsybeskov, in Silicon-Based Optoelecironic Materials, edited by M. A. Tischler, R. T. Collins, M. L. W. Thewalt, and G. Abstreiter (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 298, Pittsburgh, PA, 1993), p. 271.
13. M. F. Jarrold and J. E. Bower, J. Chem. Phys. 96, 9180 (1992).
14. E. Werwa, A. A. Seraphin, L. A. Chiu, C. C. Zhou, and K. D. Kolenbrander, Appl. Phys. Lett. 64, 1821 (1994).
15. L. A. Chiu, A. A. Seraphin, and K. D. Kolenbrander, J. Electron. Mater, 23, 347 (1994).
16. A. A. Seraphin, S-T. Ngiam, and K. D. Kolenbrander, J. Appl. Phys. 80, 6429 (1996).
17. H. I. Liu, O. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).
18. C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 48, 11024 (1993).
19. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y-H. Xie, F. M. Ross, Y. J. Chabal, T. D. Harris, L. E. Brus, W. L. Brown, E. E. Chaban, P. F. Szajowski, S. B. Christman, and P. H. Citrin, Phys. Rev. B 52, 4910 (1995).
20. J. B. Khurgin, E. W. Forsythe, S. I. Kirn, B. S. Sywe, B. A. Kahn, and G. S. Tompa, in Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, edited by R-W. Collins, C. C. Tsai, M. Hirose, F. Koch, and L. Brus (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 358, Pittsburgh, PA, 1995), p. 193.
21. F. Lukes, Surf. Sci. 30, 91 (1972).
22. R. Okada and S. Iijima, Appl. Phys. Lett. 58, 1662 (1991).
23. J. H. Stathis and M. A. Kastner, Phys. Rev. B 35, 2972 (1987).
24. L. Tsybeskov, J. V. Vandyshev, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 49, 7821 (1994).
25. H. Mimura, T. Fulagi, T. Matsumoto, T. Nakamura, and Y. Kanemitsu, Jpn. J. Appl. Phys. 33 586 (1994).
26. S. Sen, A. J. Kontkiewicz, A. M. Kontkiewicz, G. Nowak, J. Siejka, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachchi, A. M. Hoff, and J. Lagowski, in Microcrystalline and Nanocrtstalline Semiconductors, edited by R. W. Collins, C. C. Tsai, M. Hirose, F. Koch, and L. Brus (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 358, Pittsburgh, PA, 1995), p. 369.
27. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI ERA Vol. 1 (Lattice Press, Sunset Beach, CA, 1986), p. 532.
28. S. M. Hu and D. R. Kerr, J. Electrochem. Soc. 114, 414 (1967).
29. I. Mihalcescu, J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Muller, R Romestain, E. Martin, C. Delerue, M. Lannoo, and G. Allan, Phys. Rev. B 51, 17605 (1995).
30. M. Koos, I. Pocsik, and E. B. Vazsonyi, Appl. Phys. Lett. 62, 1797 (1993).
31. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, f. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. Muller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).
32. S. Schmitt-Rink, D. A. B. Miller, and D. S. Chemla, Phys. Rev. B 35, 8113 (1987).
33. L. E. Brus, J. Chem. Phys. 80, 4403 (1984).
34. S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J. L. Merz, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 52, 5752 (1995).
35. S. Fafard, Z. Wasilweski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S. Charbonneau, Appl. Phys. Lett. 48, 991 (1996).
36. A. R. Beattie and P. T. Landsberg, Proc. Royal Soc. London 249, 16 (1959).