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Volumn , Issue , 1997, Pages 82-83

Double gate dynamic threshold voltage (DGDT) SOI MOSFETs for low power high performance designs

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CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; MOS DEVICES; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

EID: 0031335844     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (23)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.