In-situ growth of Pb(Zr0.5Ti0.5)O3/RuO2 heterostructures on Si(001) using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition

Integrated Ferroelectrics

Volumn 14, Issue 1-4, 1997, Pages 23-31

  Foster, C M ^a   Bai, G R ^a   Wang, A ^a   Vetrone, J ^a   Huang, Y ^a   Jammy, R ^a  

^a ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT DENSITY; DIELECTRIC PROPERTIES OF SOLIDS; ELECTRIC BREAKDOWN OF SOLIDS; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; FILM GROWTH; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING SILICON; SURFACE ROUGHNESS; THIN FILMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

REMANENT POLARIZATION;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0031333265     PISSN: 10584587     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/10584589708019973     Document Type: Article

References (30)

1. R. W. Schwartz, R. A. Assink, and T. J. Headley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 243, 254 (1993); H. N. Al-Shareff, K. Bellur, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 85 (1994); T. Kawano, T. Sci, and T. Tsuchiya, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2178 (1991); Y. Shimizu, K. R. Udayakumar, and L. E. Cross, J. Amer. Cer. Soc. 74, 3023 (1991); B. M. MeInick, C. A. P. Auajo, L. D. McMillan, D. A. Carver and J. F. Scott, Ferroelectric 116, 79 (1991).
2. R. W. Schwartz, R. A. Assink, and T. J. Headley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 243, 254 (1993); H. N. Al-Shareff, K. Bellur, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 85 (1994); T. Kawano, T. Sci, and T. Tsuchiya, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2178 (1991); Y. Shimizu, K. R. Udayakumar, and L. E. Cross, J. Amer. Cer. Soc. 74, 3023 (1991); B. M. MeInick, C. A. P. Auajo, L. D. McMillan, D. A. Carver and J. F. Scott, Ferroelectric 116, 79 (1991).
3. R. W. Schwartz, R. A. Assink, and T. J. Headley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 243, 254 (1993); H. N. Al-Shareff, K. Bellur, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 85 (1994); T. Kawano, T. Sci, and T. Tsuchiya, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2178 (1991); Y. Shimizu, K. R. Udayakumar, and L. E. Cross, J. Amer. Cer. Soc. 74, 3023 (1991); B. M. MeInick, C. A. P. Auajo, L. D. McMillan, D. A. Carver and J. F. Scott, Ferroelectric 116, 79 (1991).
4. R. W. Schwartz, R. A. Assink, and T. J. Headley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 243, 254 (1993); H. N. Al-Shareff, K. Bellur, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 85 (1994); T. Kawano, T. Sci, and T. Tsuchiya, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2178 (1991); Y. Shimizu, K. R. Udayakumar, and L. E. Cross, J. Amer. Cer. Soc. 74, 3023 (1991); B. M. MeInick, C. A. P. Auajo, L. D. McMillan, D. A. Carver and J. F. Scott, Ferroelectric 116, 79 (1991).
5. R. W. Schwartz, R. A. Assink, and T. J. Headley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 243, 254 (1993); H. N. Al-Shareff, K. Bellur, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 85 (1994); T. Kawano, T. Sci, and T. Tsuchiya, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2178 (1991); Y. Shimizu, K. R. Udayakumar, and L. E. Cross, J. Amer. Cer. Soc. 74, 3023 (1991); B. M. MeInick, C. A. P. Auajo, L. D. McMillan, D. A. Carver and J. F. Scott, Ferroelectric 116, 79 (1991).
6. K. Shimomura, T. Tsurumi, Y. Ohba, and M. Daimon, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2174 (1991);
7. T. Fukami, I. Mimemura, Y. Hiroshima, and T. Osada, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2155 (1991); K. Abe, H. Tomita, H. Toyoda, M. Imai, and Y. Yokote, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2152 (1991). L. Wang, A. Pignolet, and F. Lévy, Mater. Res. Bull. 25, 1495 (1990).
8. T. Fukami, I. Mimemura, Y. Hiroshima, and T. Osada, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2155 (1991); K. Abe, H. Tomita, H. Toyoda, M. Imai, and Y. Yokote, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2152 (1991). L. Wang, A. Pignolet, and F. Lévy, Mater. Res. Bull. 25, 1495 (1990).
9. T. Fukami, I. Mimemura, Y. Hiroshima, and T. Osada, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2155 (1991); K. Abe, H. Tomita, H. Toyoda, M. Imai, and Y. Yokote, Jap. J. Appl. Phys. 30, 2152 (1991). L. Wang, A. Pignolet, and F. Lévy, Mater. Res. Bull. 25, 1495 (1990).
10. O. Auciello, K. D. Gifford and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 64, 2873 (1994); D. Xiao, Z. Xiao, J. Zhu, D. Wan, H. Guo, B. Xie, and H. Yuan, Appl. Phys. Lett. 58, 36 (1991).
11. O. Auciello, K. D. Gifford and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 64, 2873 (1994); D. Xiao, Z. Xiao, J. Zhu, D. Wan, H. Guo, B. Xie, and H. Yuan, Appl. Phys. Lett. 58, 36 (1991).
12. R. Ramesh, T. Sands and V. G. Keramidas, J. Electron. Mater. 23, 19 (1994); J. S. Horowitz, K. S. Grabowski, K. B. Chrisey, and R. E. Leuchtner, Appl. Phys. Lett. 59, 1565 (1991); D. Roy, S. B. Krupanidhi, and J. P. Dougherty, J. Appl. Phys. 69, 7930 (1991).
13. R. Ramesh, T. Sands and V. G. Keramidas, J. Electron. Mater. 23, 19 (1994); J. S. Horowitz, K. S. Grabowski, K. B. Chrisey, and R. E. Leuchtner, Appl. Phys. Lett. 59, 1565 (1991); D. Roy, S. B. Krupanidhi, and J. P. Dougherty, J. Appl. Phys. 69, 7930 (1991).
14. R. Ramesh, T. Sands and V. G. Keramidas, J. Electron. Mater. 23, 19 (1994); J. S. Horowitz, K. S. Grabowski, K. B. Chrisey, and R. E. Leuchtner, Appl. Phys. Lett. 59, 1565 (1991); D. Roy, S. B. Krupanidhi, and J. P. Dougherty, J. Appl. Phys. 69, 7930 (1991).
15. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Symp. Proc. 361, 307 (1995); C. M. Foster, R. Csencsits, G. R. Bai, Z. Li, L. A. Wills, R. Hiskes, H. N. Al-Shareef, and D. Dimos, Int. Ferroelectric 10, 31 (1995); K. Tominaga, M. Miyajima, Y. Sakashita, H. Segawa, and M. Okada, Jap. J. Appl. Phys. 29, L1874 (1990); W. Tao, S. B. Desu, and T. K. Li, Mater. Lett. 23, 177 (1995). G. J. M. Dorrnans, M. de Keijser, and P. J. van Veldhoven, Mater. Res. Symp. Proc. 243, 203 (1992).
16. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Symp. Proc. 361, 307 (1995); C. M. Foster, R. Csencsits, G. R. Bai, Z. Li, L. A. Wills, R. Hiskes, H. N. Al-Shareef, and D. Dimos, Int. Ferroelectric 10, 31 (1995); K. Tominaga, M. Miyajima, Y. Sakashita, H. Segawa, and M. Okada, Jap. J. Appl. Phys. 29, L1874 (1990); W. Tao, S. B. Desu, and T. K. Li, Mater. Lett. 23, 177 (1995). G. J. M. Dorrnans, M. de Keijser, and P. J. van Veldhoven, Mater. Res. Symp. Proc. 243, 203 (1992).
17. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Symp. Proc. 361, 307 (1995); C. M. Foster, R. Csencsits, G. R. Bai, Z. Li, L. A. Wills, R. Hiskes, H. N. Al-Shareef, and D. Dimos, Int. Ferroelectric 10, 31 (1995); K. Tominaga, M. Miyajima, Y. Sakashita, H. Segawa, and M. Okada, Jap. J. Appl. Phys. 29, L1874 (1990); W. Tao, S. B. Desu, and T. K. Li, Mater. Lett. 23, 177 (1995). G. J. M. Dorrnans, M. de Keijser, and P. J. van Veldhoven, Mater. Res. Symp. Proc. 243, 203 (1992).
18. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Symp. Proc. 361, 307 (1995); C. M. Foster, R. Csencsits, G. R. Bai, Z. Li, L. A. Wills, R. Hiskes, H. N. Al-Shareef, and D. Dimos, Int. Ferroelectric 10, 31 (1995); K. Tominaga, M. Miyajima, Y. Sakashita, H. Segawa, and M. Okada, Jap. J. Appl. Phys. 29, L1874 (1990); W. Tao, S. B. Desu, and T. K. Li, Mater. Lett. 23, 177 (1995). G. J. M. Dorrnans, M. de Keijser, and P. J. van Veldhoven, Mater. Res. Symp. Proc. 243, 203 (1992).
19. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Symp. Proc. 361, 307 (1995); C. M. Foster, R. Csencsits, G. R. Bai, Z. Li, L. A. Wills, R. Hiskes, H. N. Al-Shareef, and D. Dimos, Int. Ferroelectric 10, 31 (1995); K. Tominaga, M. Miyajima, Y. Sakashita, H. Segawa, and M. Okada, Jap. J. Appl. Phys. 29, L1874 (1990); W. Tao, S. B. Desu, and T. K. Li, Mater. Lett. 23, 177 (1995). G. J. M. Dorrnans, M. de Keijser, and P. J. van Veldhoven, Mater. Res. Symp. Proc. 243, 203 (1992).
20. For example see, Ferroelectric Thin Films III, ed. E. R. Myers, B. A. Tuttle, S. B. Desu, and P. K. Larsen, (Mater. Res. Symp. Proc. 310, San Francisco, CA 1993).
21. J. F. Scott and C. A. Pax de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
22. Chien H. Peng and S. B. Desu, Appl. Phys. Lett. 61, 16 (1992).
23. G. R. Bai, H. L. M. Chang, H. K. Kim, C. M. Foster, and D. J. Lam, Appl. Phys. Lett., 64, 408 (1992); Y. Gao, G. Bai, K. L. Merkle, Y. Shi, H. L. M. Chang, Z. Shen, and D. J. Lam, J. Mater. Res. 8, 145 (1993).
24. G. R. Bai, H. L. M. Chang, H. K. Kim, C. M. Foster, and D. J. Lam, Appl. Phys. Lett., 64, 408 (1992); Y. Gao, G. Bai, K. L. Merkle, Y. Shi, H. L. M. Chang, Z. Shen, and D. J. Lam, J. Mater. Res. 8, 145 (1993).
25. G. R. Bai, H. L. M. Chang, C. M. Foster, Z. Shen, and D. J. Lam, J. Mater. Res. 9, 156 (1994).
26. H. You, H. L. M. Chang, R. P. Chiarello, and D. J. Lam, in Heteroepitaxy of Dissimilar Materials, ed. by R. F. C. Ferrow, J. P. Harbison, P. S. Peercy, and A. Zangwill (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 221, Pittsburg, PA 1990) p. 181.
27. C. M. Foster, Z. Li, G. R. Bai, H. You, D. Guo, and H. L. M. Chang, in Epitaxial Oxide Thin Films and Heterostructures, ed. D. K. Fork, J. M. Phillips, R. Ramesh, and R. M. Wolf, (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 341, San Francisco, CA 1994).
28. C. M. Foster, Z. Li, M. Buckelt, D. Miller, P. M. Baldo, L. E. Rehn, G. R. Bai, D. Guo, H. You and K. L. Merkle, J. Appl. Phys. 78, 2607 (1995).
29. C. M. Foster, S.-K. Chan, H. L. M. Chang, R. P. Chiarello, T. J. Zhang, J. Guo, and D. J. Lam, J. Appl. Phys. 73, 7823 (1993).
30. A. P. Wilkinson, J. S. Speck, A. K. Ceetham, S. Natarajan and J. M. Thomas, Chem. Mater. 6, 750, (1994).