Electrical and microstructural characteristics of Ge/Cu ohmic contacts to n-type GaAs

Journal of Materials Research

Volumn 12, Issue 9, 1997, Pages 2325-2331

  Aboelfotoh, M O ^a   Oktyabrsky, S ^a   Narayan, J ^a   Woodall, J M ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COMPOSITION EFFECTS; COPPER ALLOYS; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; INTERFACES (MATERIALS); MESFET DEVICES; METALLOGRAPHIC MICROSTRUCTURE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; TRANSCONDUCTANCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

SPECIFIC CONTACT RESISTIVITY;

OHMIC CONTACTS;

EID: 0031237964     PISSN: 08842914     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/JMR.1997.0308     Document Type: Article

References (32)

1. M. Heiblum, M. I. Nathan, and C. A. Chang, Solid State Electron. 25, 185 (1985).
2. T. S. Kuan, P. E. Batson, T. N. Jackson, H. Rupprecht, and E. L. Wilkie, J. Appl. Phys. 54, 6952 (1983).
3. Y. C. Shin, M. Murakami, E. L. Wilkie, and A. C. Callegari, J. Appl. Phys. 62, 582 (1987); M. Murakami, K. D. Child, J. M. Baker, and A. C. Callegari, J. Vac. Sci. Technol. B4, 903 (1986).
4. Y. C. Shin, M. Murakami, E. L. Wilkie, and A. C. Callegari, J. Appl. Phys. 62, 582 (1987); M. Murakami, K. D. Child, J. M. Baker, and A. C. Callegari, J. Vac. Sci. Technol. B4, 903 (1986).
5. E. D. Marshall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 47, 298 (1985).
6. E. D. Marshall, B. Zhang, L. C. Wang, P. F. Jiao, W. X. Chen, T. Sawada, S. S. Lau, K. L. Kavanagh, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 62, 942 (1987).
7. L. S. Yu, L. C. Wang, E. D. Marshall, S. S. Lau, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 65, 1621 (1989).
8. T. E. van Eck, P. Chu, W. S. C. Chang, and H. H. Wieder, Appl. Phys. Lett. 49, 135 (1986).
9. L. C. Wang, S. S. Lau, E. K. Hsieh, and J. R. Velebir, Appl. Phys. Lett. 54, 2677 (1989).
10. W. X. Chen, S. C. Hseuh, P. K. L. Yu, and S. S. Lau, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 471 (1986).
11. K. Tanahashi, H. J. Takata, A. Otuki, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 72, 4183 (1992).
12. M. Genut and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 68, 2146 (1990); E. Koltin and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 71, 4604 (1992).
13. M. Genut and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 68, 2146 (1990); E. Koltin and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 71, 4604 (1992).
14. J. S. Chen, E. Kolawa, M-A. Nicolet, and R. P. Ruiz, J. Appl. Phys. 75, 7373 (1994).
15. M. O. Aboelfotoh, C. L. Lin, and J.M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 65, 3245 (1994).
16. H. H. Berger, Solid State Electron. 15, 145 (1972).
17. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. EDL-3, 111 (1982).
18. M. O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 75, 5760 (1994).
19. L. Krusin-Elbaum and M. O. Aboelfotoh, Appl. Phys. Lett. 58, 1341 (1991); M. O. Aboelfotoh, K. N. Tu, F. Nava, and M. Michelini, J. Appl. Phys. 75, 1616 (1994).
20. L. Krusin-Elbaum and M. O. Aboelfotoh, Appl. Phys. Lett. 58, 1341 (1991); M. O. Aboelfotoh, K. N. Tu, F. Nava, and M. Michelini, J. Appl. Phys. 75, 1616 (1994).
21. S. Oktyabrsky, M. O. Aboelfotoh, and J. Narayan (unpublished).
22. M. O. Aboelfotoh, H. M. Tawancy, and L. Krusin-Elbaum, Appl. Phys. Lett. 63, 1622 (1993); M. O. Aboelfotoh and H. M. Tawancy, J. Appl. Phys. 75, 2441 (1994).
23. M. O. Aboelfotoh, H. M. Tawancy, and L. Krusin-Elbaum, Appl. Phys. Lett. 63, 1622 (1993); M. O. Aboelfotoh and H. M. Tawancy, J. Appl. Phys. 75, 2441 (1994).
24. N. Newman, M. van Schilfgaarde, T. Kendelwicz, M. D. Williams, and W. E. Spicer, Phys. Rev. B33, 1146 (1986).
25. M. O. Aboelfotoh and H. M. Tawancy (unpublished).
26. R. Z. Bachrach, in Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications, edited by B. L. Sharma (Plenum Press, New York, 1984), Chap. 2, p. 61.
27. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 50, 250 (1987).
28. A. K. Kulkarni and J. T. Lukowski, J. Appl. Phys. 59, 2901 (1986).
29. R. N. Hall and J. H. Racette, J. Appl. Phys. 35, 379 (1964); B. Monemar, H. P. Gislason, and Z. G. Wang, Phys. Rev. B31, 7919 (1985); H. P. Gislason, B. Monemar, W. G. Wang, Ch. Uihlein, and P. L. Liu, ibid. B32, 3723 (1985).
30. R. N. Hall and J. H. Racette, J. Appl. Phys. 35, 379 (1964); B. Monemar, H. P. Gislason, and Z. G. Wang, Phys. Rev. B31, 7919 (1985); H. P. Gislason, B. Monemar, W. G. Wang, Ch. Uihlein, and P. L. Liu, ibid. B32, 3723 (1985).
31. R. N. Hall and J. H. Racette, J. Appl. Phys. 35, 379 (1964); B. Monemar, H. P. Gislason, and Z. G. Wang, Phys. Rev. B31, 7919 (1985); H. P. Gislason, B. Monemar, W. G. Wang, Ch. Uihlein, and P. L. Liu, ibid. B32, 3723 (1985).
32. M. O. Aboelfotoh and B. G. Svensson, Phys. Rev. B44, 12742 (1991).