Formation and laser-induced-fluorescence study of SiO+ ions produced by laser ablation of Si in oxygen gas

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 8, 1997, Pages 996-998

  Matsuo, Yukari ^a   Nakajima, Takashi ^a   Kobayashi, Tohru ^a   Takami, Michio ^a  

^a INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMS; IONS; LASER ABLATION; MOLECULES; OXYGEN; PLASMAS; PRESSURE; SILICON COMPOUNDS; SILICON WAFERS; TEMPERATURE;

AMBIENT GAS; LASER INDUCED FLUORESCENCE; MOLECULAR IONS; SILICON OXIDE;

FLUORESCENCE;

EID: 0031212490     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119750     Document Type: Article

References (29)

1. B. Simard, S. A. Mitchell, M. R. Humphries, and P. A. Hackett. J. Mol. Spectrosc. 129, 186 (1988).
2. T. C. Steimle, D. A. Fletcher, K. Y. Jung, and C. T. Scurlock, J. Chem. Phys. 96, 2556 (1992).
3. A. J. Marr, M. E. Flores, and T. C. Steimle, J. Chem. Phys. 104, 8183 (1996).
4. M. Ebben, G. Meijer, and J. J. ter Meulen, Appl. Phys. B 50, 35 (1990).
5. C. J. Whitham, B. Soep, J-P. Visticot, and A. Keller, J. Chem. Phys. 93, 991 (1990).
6. A. M. Ellis, E. S. J. Robeles, and T. A. Miller, J. Chem. Phys. 94, 1752 (1991).
7. R. Rubino, J. M. Williamson, and T. A. Miller, J. Chem. Phys. 103, 5964 (1995).
8. A. G. Adam, L. P. Fraser, W. D. Hamilton, and M. C. Steeves, Chem. Phys. Lett. 230, 82 (1994).
9. G. K. Corlett, A. M. Little, and A. M. Ellis, Chem. Phys. Lett. 249, 53 (1996).
10. M. He, H. Wang, and B. R. Weiner, Chem. Phys. Lett. 204, 563 (1993).
11. C. E. Otis and R. W. Dreyfus, Phys. Rev. Lett. 67, 2102 (1991).
12. C. E. Otis, A. Gupta, and B. Braren, Appl. Phys. Lett. 62, 102 (1993).
13. H. C. Le, R. W. Dreyfus, W. Marine, M. Sentis, and I. A. Movtchan, Appl. Surf. Sci. 96-98, 164 (1996).
14. Y. Nakata, K. Kaibara, T. Okada, and M. Maeda, J. Appl. Phys. 80, 2458 (1996).
15. G. Masciarelli, F. Fuso, M. Allegrini, and E. Arimondo, J. Mol. Spectrosc. 153, 96 (1992).
16. H. F. Sakeek, T. Morrow, W. G. Graham, and D. G. Walmsley, J. Appl. Phys. 75, 1138 (1994).
17. D. Fried, T. Kushida, G. P. Reck, and E. W. Rothe, J. Appl. Phys. 73, 7810 (1993).
18. X. D. Wu, B. Dutta, M. S. Hegde, A. Inam, T. Venkatesan, E. W. Chase, C. C. Chang, and R. Howard, J. Appl. Phys. 54, 179 (1989).
19. W. A. Weimer, J. Appl. Phys. 52, 2171 (1988).
20. C. H. Ching, R. M. Gilgenbach, and J. S. Lash, J. Appl. Phys. 78, 3408 (1995).
21. W. Marine, V. Tokarev, M. Gerri, M. Sentis, and E. Fogarassy, Thin Solid Films 241, 103 (1994).
22. V. Berardi, S. Amoruso, N. Spinelli, M. Armenante, R. Velotta, F. Fuso, M. Allegrini, and E. Arimondo, J. Appl. Phys. 76, 8077 (1994).
23. A. V. Bulgakov, M. R. Predtechensky, and A. P. Mayorov, Appl. Surf. Sci. 96-98, 159 (1996).
24. A. Lagerqvist, E. Lind, and R. F. Barrow, Proc. Phys. Soc. London Sec. A 63, 1132 (1950).
25. L. H. Woods, Phys. Rev. 63, 426 (1943).
26. R. Cameron, T. J. Scholl, L. Zhang, R. A. Holt, and S. D. Rosner, J. Mol. Spectrosc. 169, 352 (1995); 169, 364 (1995).
27. R. Cameron, T. J. Scholl, L. Zhang, R. A. Holt, and S. D. Rosner, J. Mol. Spectrosc. 169, 352 (1995); 169, 364 (1995).
28. F. Blanco, B. Botho, and J. Campos, Phys. Scr. 52, 628 (1995).
29. G. B. Shinn, F. Steigerwald, H. Stiegler, S. Sauerbrey, F. K. Tittel, and W. L. Wilson, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B B4, 1273 (1986).